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塞蒂，辛德， ＂V的效果2O5掺杂剂对RuO电导率的影响2厚膜电阻"，有源和无源电子元件， 卷。12， 文章的ID034249， 7 页面， 1986。 https://doi.org/10.1155/1986/34249
V的效果2O5掺杂剂对RuO电导率的影响2厚膜电阻
摘要
用V2O5掺杂RuO2进行阶段。不同数量的V2O5被并入RuO2晶格的固态反应。表面电阻率从235减少到10 kΩ/平方,与掺杂剂浓度的增加从2 6% wt。电导率,“σ”,被发现适合于σ= KS方程(条件),在年代的概率是一个给定的阳离子网站将包含一个额外的电荷载体和k = 10－3mho-sq。
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