二氧化锡薄膜的制备低能量反应溅射的锡-锑和wt。某人(1 - 10%)在一个氧-氩气氛。氧含量的依赖性范围从0到50%,目标成分,衬底温度300 K - 573 K的最低电阻率在满意的透光率和再现性进行了讨论。电气和光学特性之间的相关性和微观结构的电影。
