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加伯·瑞普卡,加伯·海萨尼, "厚膜IC-S的电化学迁移",有源和无源电子元件, 卷。11, 文章的ID737903, 10 页面, 1985. https://doi.org/10.1155/APEC.11.281
厚膜IC-S的电化学迁移
收到了
1983年1月17日
接受
1983年11月01
摘要
银在导体-绝缘体系统中的迁移现象是众所周知的,但其他几种金属也有迁移现象却鲜为人知。本文对这一现象在厚膜电路中的应用作了简要的总结。对厚膜电路中使用的不同导体进行了试验。通过扫描电子显微镜和发射的x射线的波长色散分析,观察了电化学迁移形成的树突。通过获得二次和反向散射电子图像、x射线图和剖面,可以确定哪些成分引起了导体中的迁移。给出的照片说明了结果。在受控环境中进行了热湿偏置试验,以比较不同厚膜系统的性能。
版权
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