Ceff*(describing current noise behaviour) increase with d and d3, respectively, when d is the grain size. On the other hand, both quantities depend on the volume fraction of the metallic component in the same manner. This leads to the conclusion, that a general dependence in the form Ceff*= f(R□) cannot exist."> 评论R□的依赖和电流噪声在厚膜电阻的粒度(指) - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果
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主动和被动电子元件
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主动和被动电子元件/1985年/文章

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体积 12 |文章的ID 068618年 | https://doi.org/10.1155/1985/68618

m·沃尔夫·穆勒,h . Hemschik, ”评论的依赖R□在厚膜电阻和电流噪声对粒度(TFR)”,主动和被动电子元件, 卷。12, 文章的ID068618年, 3 页面, 1985年。 https://doi.org/10.1155/1985/68618

评论的依赖R□在厚膜电阻和电流噪声对粒度(TFR)

m .狼,1 f·穆勒,1 和 h . Hemschik1

1Zentralinstitut Festkorperphysik Werkstofforschung der发育和der Vdissenschaften der DDR,德国

收到了 1984年9月3日
接受 1984年11月06

文摘

总和生育率的异质结构的结果在高电阻率、高电流噪声。接受的总和生育率的传导模型,根据电阻的电阻率是由独立的体电阻率、敲击金属般的组件,它将显示,R□和 C eff * (描述当前噪声行为)增加d和d3当d分别是晶粒尺寸。另一方面,这两个量取决于金属的体积分数组件相同的方式。这导致的结论,一般形式的依赖 C eff * = f (R□)不能存在。

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