主动和被动电子元件

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主动和被动电子元件/1985年/文章

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体积 12 |文章的ID 060482年 | https://doi.org/10.1155/1985/60482

Umesh Kumar Jha Somesh, Rational二端口模型统一R-C-NR结构有所改善”,主动和被动电子元件, 卷。12, 文章的ID060482年, 5 页面, 1985年 https://doi.org/10.1155/1985/60482

Rational二端口模型统一R-C-NR结构有所改善

收到了 1984年11月02
接受 1984年11月14日

文摘

统一R-C-NR不定导纳矩阵的结构(1)是修改的方式写的。导纳参数的新表达式扩展利用这项技术之前假设Dutta罗伊·库马尔(2),一个理性的两口晶格的制服R-C-NR结构构造。这个模型更准确更广泛的频率范围和很多改进,因为它刺激特征更精确和广泛。

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