主动和被动电子元件

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主动和被动电子元件/1985年/文章

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体积 12 |文章的ID 017659年 | https://doi.org/10.1155/1985/17659

c r代表, 金属薄膜传感器”,主动和被动电子元件, 卷。12, 文章的ID017659年, 24 页面, 1985年 https://doi.org/10.1155/1985/17659

金属薄膜传感器

收到了 1984年4月20日
接受 1984年9月18日

文摘

在过去的十年中已经取得了一些进展领域的传感器利用薄膜技术。特别是金属薄膜应变仪和薄膜温度传感器基于温度依赖的金属电阻率现在常用的。但是其他交通参数的变化与不同的被测变量也有用金属薄膜传感器的设计。困难出现在薄膜技术结构性缺陷冻结在电影上。强化理论解释的晶粒的影响进行调查和外部表面散射传输参数。相应地提出了主要结果指定电影结构对传感器性能的影响。探讨了晶粒间的影响根据金属薄膜传感器的应用。理论预测的敏感性,分析了热稳定性和长期行为。但是晶界的存在引起的其他问题或缺陷进行了探讨,特别是散装扩散问题,电迁移引起的故障或内在的压力。

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