主动和被动电子元件

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主动和被动电子元件/1983年/文章

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体积 11 |文章的ID 303826年 | https://doi.org/10.1155/APEC.11.43

r·k·Nahar n . m . Devashrayee, 电气性能的射频气急败坏的NiCr薄膜与铜接触电阻”,主动和被动电子元件, 卷。11, 文章的ID303826年, 9 页面, 1983年 https://doi.org/10.1155/APEC.11.43

电气性能的射频气急败坏的NiCr薄膜与铜接触电阻

接受 1982年6月3日

文摘

调查在射频气急败坏的NiCr薄膜电阻、制造使用铜作为导体金属化,。接触电阻特性,电阻膜电阻测量的特征和识别。热处理电阻特性的影响进行了研究。一个合适的退火周期稳定的电阻进行了研究。一个合适的电阻稳定退火周期。钝化的效果由石英薄膜电阻性质也检查了。本文介绍和讨论的结果。

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