PDF
开放获取
d . o .史, ”精密薄膜电阻的开发水下中继器应用程序”,主动和被动电子元件, 卷。5, 文章的ID728456年, 6 页面, 1978年。 https://doi.org/10.1155/APEC.5.9
精密薄膜电阻的开发水下中继器应用程序
收到了
1977年5月10日
文摘
低电感的介绍发展薄膜电阻器系列±0.15%的稳定电阻的变化,在25年的生活,在一个水下中继器环境。(40% RH最大和0到30℃环境温度)。首先需要建立一个合适的电阻稳定性与时间和温度有关的数学模型。这是从实验数据设计了基于测量电阻漂移在不同的温度,并使电阻漂移加速度进行以确保每个电阻器具有所需的稳定。沉积的二次镍铬层保护黄金/镍铬合金界面和促进SiO2附着力。这导致基本的改善高温电阻稳定减少扩散效应的镍铬合金导体,和防止电化学腐蚀了10000小时寿命试验在83% RH @ 28℃5 mW负荷电载荷作用下和高温测试。
版权
版权©1978 Hindawi出版公司。这是一个开放的分布式下文章知识共享归属许可,它允许无限制的使用、分配和复制在任何媒介,提供最初的工作是正确引用。
