材料科学与工程的发展
研究文章

改善均匀性和长宽比的反应离子刻蚀硅场致发射的技巧

图8

SEM图像的发射器RIE后如果在不同的蚀刻参数:(a)和(b) 90毫托,60年代,90 W, (c)和(d) 50毫托,90年代,90 W。
948708. fig.008a
(一)晶片中心附近
948708. fig.008b
(b)晶片边缘附近
948708. fig.008c
(c)晶片中心附近
948708. fig.008d
(d)晶片边缘附近