材料科学与工程的发展
研究文章

改善均匀性和长宽比的反应离子刻蚀硅场致发射的技巧

图7

变化的各向异性系数各向异性在季度的平均价值在不同的腐蚀参数:(a)和(b) 90毫托,60年代,90 W, (c)和(d) 50毫托,90年代,90 W。括号中的值的均方根偏差和算术平均值的变化。
948708. fig.007a
(一)阵列晶片中心附近(均方根偏差:0.063)(平均值:−0.029)
948708. fig.007b
(b)阵列晶片边缘附近(均方根偏差:0.075)(平均值:0.061)
948708. fig.007c
(c)阵列晶片中心附近(均方根偏差:0.048)(平均值:0.016)
948708. fig.007d
(d)阵列晶片边缘附近(均方根偏差:0.049)(平均值:−0.023)