_{2 2 2} 结构化的阴极制备过程的示意图与IntelliSuite(模拟)。(一)热SiO的增长层。(b)与AZ5214光刻。(c)转移到SiO的结构反应离子刻蚀。(d)散装Si的反应离子刻蚀。(e)技巧的锐化湿的热氧化。SiO (f)湿化学去除。