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隧道为自旋注入硅联系人:Si-Co接口与没有采用隧道的障碍是研究高分辨率的卢瑟福背散射

图7

+ + HRBS光谱的种植和铁磁金属薄膜的热稳定性(公司、铁)分别以隧道结/ Si(100)结构。(一)发展有限公司(0.05 - 3毫升)使用2兆电子伏N离子分析的入射角8°。尾闾模拟也显示为3毫升的有限公司(b)的增长Fe(0.05 - 4毫升)使用2兆电子伏他离子的入射角3°。臀部模拟也显示4毫升的铁。(c) HRBS光谱3毫升的公司准备(圆圈)和退火后15分钟在450°c(实线)。(d) HRBS光谱3毫升的菲准备(圆圈)和退火后15分钟在450°C(实线)。不可见的重大变化。
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(一)
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(b)
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