² - - - - - - 公司在Si(100),低覆盖率(≤1.3毫升)。在左边面板:公司HRBS边缘光谱(圈)和残余模拟(实线)。在右边面板:Co浓度由残余模拟与深度(深度范围:层的Si,哦/厘米厚)。(a)有限公司沉积在rt, 1800年和1810年之间的山峰keV是由于公司的反向散射表面,其他山峰的范围1785 - 1800 keV由于公司原子在Si(地下浓缩)。(b) Co浓度资料(公司/ Si)在随后的层从(a)获得的样本尾闾模拟。层0是最高的硅层;−−−−1日2日3日4日和−5在大部分后续层。请注意,轴为0.08和1.19毫升有鳞与众不同。(c)有限公司沉积在−60°c。1800年和1805年之间的山峰keV是由于公司的反向散射表面。Co浓度的振荡中提到的文本清晰可见。(d)有限公司(公司/ Si)浓度的各种Si(100)层硅晶体来源于(c)的残余模拟。图层1(孵化列)对应于公司在硅晶体,原子层0是第一个硅层,层−1−2−3,−4如果后续层散装固体(列)。