研究文章

有机化合物对微观结构的影响、光学和电学性质的ITO薄膜由浸涂的方法

表1

主要制备ITO薄膜的特性。

退火条件下 碳含量一个(重量%) 应用b(学位) 晶粒大小b(nm) 导电率c(S /厘米)

没有退火 8.15 2.5 3.3 0 3 × 1 0 1
退火在400°C 4.90 2.3 3.9 0 8 × 1 0 1
退火在600°C 0.00 1.9 4.5 2 × 1 0 1

一个EDS。
b通过x射线衍射。
c四点探针。