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形成和设备的应用Ge纳米线异质结构通过快速热退火
表1
总结硅和锗纳米线异质结构形成的固态半导体纳米线之间的反应和金属接触。
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| 材料体系 |
退火条件(°C) |
形成硅化物/锗化物 |
金属扩散源 |
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| Ni-Si [6] |
550年 |
非绝对的 |
倪接触垫 |
| Ni-Si [7] |
470年 |
非绝对的x(不确定) |
倪接触垫 |
| Ni-Si [8] |
500 - 700 |
非绝对的 |
镍纳米线 |
| Co-Si [9] |
700年 |
阿大 |
公司nanodots |
| 800年 |
有限公司2如果 |
公司nanodots |
| Pt-Si [10] |
520年 |
PtSi |
Pt接触垫 |
| Mn-Si [11] |
650年 |
及其产生 |
锰接触垫 |
| Ni-Ge [13] |
400 - 500 |
倪2通用电气 |
倪接触垫 |
| Ni-Ge [14] |
450(封顶2O3) |
倪2通用电气/ NiGe |
倪接触垫 |
| Ni-Ge [15] |
300 - 450 |
倪2通用电气 |
倪接触垫 |
| Cu-Ge [16- - - - - -18] |
310年 |
铜3通用电气 |
铜接触垫 |
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