_{2 3 2} 13 电气特性的通用纳米线后门场效应晶体管(没有O限制在退火)在300 K。(一)示意图说明Ge纳米线的后门场效应晶体管。(b)曲线的后门Ge纳米线晶体管等之前和之后,都显示p型MOSFET的行为。显著提高晶体管性能等后,倪通用电气源/漏接触形成。从[复制]。