_{3 4 x 2 2} 14 平面视角的TEM图像Ni-Ge纳米线设备在TEM的网格50 nm厚的硅N窗口。(一)低放大率TEM图像的通用电气与120 nm厚镍纳米线的反应垫在450°C等30年代。(b)扩大TEM图像从(a)的白色矩形。这些地区与不同的对比和成分标签。(c)相应的通用电气和倪EDS扫描配置文件在两个红线之间的地区(b)。(d) Lattice-resolved TEM图像形成镍通用电气Ge /纳米线异质结构(b)的白色矩形。标记晶格间距是:对镍纳米通用电气;纳米和NiGe海里;纳米和通用电气的海里。(e) - (g) FFT模式从倪通用电气、NiGe分别(d)和通用电气的地区。从[复制]。