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形成和设备的应用Ge纳米线异质结构通过快速热退火

图12

3 3 3 3 3 2 2 2 2 3 3 13 (一)TEM图像分散镍Ge纳米线在TEM网格在650°C退火。(b) HRTEM Ni的形象通用电气/电气/镍Ge纳米线异质结构显示一个干净和锋利的接口。(c) Lattice-resolved HRTEM Ni的形象通用电气/通用接口。测量镍晶格失配只有1.5%通用电气(1)/通用电气(1)接口。因此,扭曲的经济增长模式,观察在倪通用电气/电气/镍通用电气和倪通用电气Ge / NiGe / / NiGe /镍Ge纳米线异质结构,以适应大的晶格不匹配,并没有出现在这倪通用电气/电气/镍Ge纳米线异质结构。(d) SEM图像显示了Ge纳米线在650°C等由于低熔点Ge纳米线的指向。从[复制]。
316513. fig.0012a
(一)
316513. fig.0012b
(b)
316513. fig.0012c
(c)
316513. fig.0012d
(d)