_{2 3 2 3 2 3} 14 Ge纳米线的电特性后门场效应晶体管(AlO限制在退火)在300 K。(一)示意图说明Ge纳米线的后门场效应晶体管。(b)曲线的后门Ge纳米线晶体管等后,显示一个p型MOSFET的行为。(c)曲线的后门Ge纳米线晶体管等。(d)双金属屑的偏见+ 40 V−40 V之间在各种条件下显示不同大小的滞后。全面的方向的箭头表示。的磁滞后显著降低O钝化。小磁滞还观察到“肾上腺脑白质退化症”后,这可能是由于电荷捕获在通用电气Ge纳米线之间的表面频道和后门介质,该地区所没有涉及的O覆盖层。从[复制]。