沉积后退火对直流磁控溅射结构、电学和光学性质的影响 助教 2 O 5 电影

摘要

在室温(303 K)条件下，通过反应溅射钽靶，在石英和硅(111)衬底上形成氧化钽薄膜。在673-873 K的温度范围内，在空气中退火1小时。通过对薄膜结构、介电、电学和光学特性的研究，对薄膜进行了表征。沉积态薄膜在性质上是非晶态的。当退火温度升高到673 K时，薄膜转变为多晶薄膜。沉积和退火时的电学特性 助教 2 O 5 对薄膜进行了比较。热退火降低了漏电流密度，提高了介电常数。薄膜的光学透过率随退火温度的升高而增大。沉积态薄膜的光学禁带宽度为4.38 eV。当退火温度为873 K时，温度升高至4.44 eV。沉积态薄膜的折射率较低(1.89)，在873 K退火时，折射率增加到2.15。薄膜的折射率随退火温度的增加而增加是由于薄膜的堆积密度和结晶度的增加。

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