Cd1XZnXTe is one of the II-VI ternary semiconductor materials whose bandgap can be tailored to any value between 1.48–2.26 eV as X varies from 0 to 1. It is promising material for high-efficiency solar cells, switching, and other optoelectronic devices. Polycrystalline thin film of Cd1XZnXTe with variable composition (0X1) has been deposited on ultraclean glass substrates by screen printing method followed by sintering process. The optical and structural properties of Cd1XZnXTe thin films have been examined. The optical bandgap of these films is studied using reflection spectra in wavelength range of 350–900 nm by using double beam spectrophotometer. The structure of sample was determined from X-ray diffraction patterns. The films were polycrystalline in nature having wurtzite (Hexagonal) structure over the whole range studied. The lattice parameters vary almost linearly with the composition parameter X, following Vegard's law. Sintering is a very simple and viable method compared to other cost-intensive methods. The results of the present investigation will be useful in characterizing the material CdZnTe for its applications in photovoltaics."> 生长和表征Cd1−XZnXTe-Sintered电影 - raybet雷竞app,雷竞技官网下载,雷电竞下载苹果

材料科学与工程的发展

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材料科学与工程的发展/2007年/文章

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体积 2007年 |文章的ID 063702年 | https://doi.org/10.1155/2007/63702

诉Kumar g . s . Sandhu t·p·沙玛,m·侯赛因, 生长和表征 Cd 1 X X Te-Sintered电影”,材料科学与工程的发展, 卷。2007年, 文章的ID063702年, 5 页面, 2007年 https://doi.org/10.1155/2007/63702

生长和表征 Cd 1 X X Te-Sintered电影

学术编辑器:Tsutomu Ohzuku
收到了 2007年6月29日
接受 2007年10月31日
发表 2007年12月06

文摘

族化合物的多晶半导体材料已经受到审查,因为他们的广泛使用为光伏应用设备的成本降低。 Cd 1 X X Te的族化合物三元半导体材料的能带之间可以适合任何价值1.48 - -2.26 eV X从0到1。它是很有前途的材料高效太阳能电池,开关和其他光电设备。多晶薄膜的 Cd 1 X X Te与变量组成( 0 X 1 )已经被沉积在超净玻璃基板通过丝网印刷方法烧结过程。的光学和结构性质 Cd 1 X X Te薄膜已被确认。这些电影的光学带隙研究使用反射光谱的波长范围350 - 900 nm使用双光束分光光度计。样本的结构从x射线衍射模式决定的。电影是多晶本质上有纤锌矿(六角)结构在整个范围的研究。晶格参数的变化几乎线性的组合参数 X 后,Vegard定律。烧结是一个非常简单的和可行的方法比其他cost-intensive方法。目前的调查结果将用于描述材料CdZnTe在光伏发电的应用。

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