用于微波整流电路的Si衬底应变锗肖特基二极管设计

Si衬底半导体上典型的应变Ge半导体(Si和Ge具有不同的热膨胀系数，退火时向Ge外延层引入0.2%的拉伸应变，导致能带结构改变和迁移率增强)。