光子学和低维材料的光电子学

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最近,低维材料的研究已经取得了显著的对各种光子和光电应用程序。低维材料中存在一种系统的电子态波函数局限,至少在三个维度之一。减少材料的纳米尺度的维数,两个或三个方向会导致薄膜结构(2 d)、导线(1 d)分别或点(0 d)。因此,低材料具有量子尺寸效应显著改变了他们的电子属性和修改他们的光子和光电性能与他们相比散装形式。由于他们不同的电子和光学性质,低材料被用于各种各样的应用程序,如晶体管、非线性光学、超快光学、电光调制器,光电,等离子和光电探测器。这些设备的应用程序的重要性是一个增强的理解基本结构、电子、光学、量子模拟,热,和发光性质。在这个特殊的问题,一些作者受邀提交原始研究的文章,将激励持续努力研究低维材料的基本物理性质。

包含两Yb光子复合^{3 +},呃^{3 +}codoped英航₂LaF₇并通过melt-quenching Ag纳米晶体被捏造和加热处理方法。由于银纳米粒子的表面等离子体共振,自发的上转换和刺激了Yb排放^{3 +},呃^{3 +}离子在英航有效地增强₂LaF₇纳米晶体。结果表明,一个有效的方法来提高上转换材料的发光性能。基于有效质量近似和变分过程中,外部电场影响浅施主杂质州一直在调查闪锌矿 对称耦合量子点。捐献者结合能点厚度的函数,研究点半径,外部电场和杂质的位置。

温度依赖性的能带图沃甘/氮化镓异质结构研究了d·陈等人通过理论计算和实验。他们的工作提供了重要的理论和实验依据的性能退化沃甘/氮化镓高电子迁移率晶体管与增加温度。基于采用基于计算,通用电气的原子和电子性质/ 4 h-sic异质结已经被李l . et al。调查考虑硅光子学的重要性,美国风等人研究了微纳米硅/锗硅/ Si双异质结光电调制结构。基于密度泛函理论、结构和光学特性α石英与缺氧的集群中心缺陷已经研究了r . Zhang et al。

z吴等人报道圆片规模结构和传输特性的二维层状材料所使用的脉冲激光沉积方法。基于沉积均匀2 d few-layer金属氧化物半导体₂已经开发出来,back-gated场效应晶体管。生长参数有重要影响薄膜的光子和电子性质。沉积温度对结构的影响,光学特性和激光损伤的版本₃薄膜已经研究了c .杨等。有机聚合物光伏系统提供一个可行的替代更标准的固态设备收集太阳能的应用程序。a .凯利等人调查了移位的角色和当地包装基于量子亲水界面电荷分离的模拟模型。

相信这个特殊的出版发行将为读者参考价值在相关领域工作的低维材料对光子与光电子应用程序。

Shenghuang林
Gongxun呗
Zhike刘
Zaiquan徐
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