具有多个量子屏障的Ingan/GAN发光设备的高温电致发光

（a）用MQB的样品与带有GAN屏障的样品的温度依赖性EL量子效率比。插图显示了EL效率对样品温度的依赖性。驾驶电流为10 mA。（b）驱动电流范围10至100 mA中样品的温度依赖性EL量子效率比。