研究文章

高温致发光InGaN /氮化镓发光装置与多个量子壁垒

图5

的EL光谱样本与MQBs驱动电流范围1到100 mA在温度200 K, 300 K (b)和(c) 380 K。
145689. fig.005a
(一)T= 200 K
145689. fig.005b
(b)T= 300 K
145689. fig.005c
(c)T= 380 K