研究文章

高温致发光InGaN /氮化镓发光装置与多个量子壁垒

图4

与氮化镓壁垒的EL光谱样本驱动电流范围从1到100毫安(a)在温度200 K, 300 K (b)和(c) 380 K。
145689. fig.004a
(一)T= 200 K
145689. fig.004b
(b)T= 300 K
145689. fig.004c
(c)T= 380 K