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工程建模与仿真
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2019
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研究文章
模拟铝的性能
0.3
遗传算法
0.7
光谱辐照度和温度变化下的As/InP/Ge多结太阳能电池
表3
的
电流-电压
在25°C和75°C温度下,每个亚细胞在不同simf下的性能。
亚晶胞
SIMF(太阳)
我
SC
(
一个
)
V
oc
在25°C(伏)
V
oc
在75°C(伏)
艾尔
0.3
遗传算法
0.7
作为
1
0.033
1.473
1.404
5
0.167
1.510
1.453
10
0.334
1.532
1.473
50
1.671
1.574
1.521
One hundred.
3.343
1.591
1.542
150
5.015
1.601
1.554
200
6.686
1.609
1.563
可使
1
0.020
1.014
0.943
5
0.101
1.056
0.991
10
0.202
1.073
1.012
50
1.010
1.115
1.061
One hundred.
2.022
1.132
1.081
150
3.029
1.119
1.094
200
4.038
1.150
1.103
通用电气
1
0.011
0.381
0.318
5
0.056
0.413
0.356
10
0.113
0.412
0.357
50
0.563
0.429
0.378
One hundred.
1.122
0.447
0.399
150
1.670
0.456
0.409
200
2.217
0.463
0.417
年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。
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