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补充高阻抗电压型通用双二次滤波器使用培训
表1
台积电(TSMC) 0.35
μ
CMOS工艺参数。
NMOS
l
E
V
E
l
=
3
T
O
X
=
7
。
9
−
9
N
年代
U
B
=
1
1
7
G
一个
米
米
一个
=
0
。
5
8
2
7
8
7
1
P
H
我
=
0
。
7
V
T
O
=
0
。
5
4
4
5
5
4
9
D
E
l
T
一个
=
0
U
O
=
4
3
6
。
2
5
6
1
4
7
E
T
一个
=
0
T
H
E
T
一个
=
0
。
1
7
4
9
6
8
4
K
P
=
2
。
0
5
5
7
8
6
−
4
V
米
一个
X
=
8
。
3
0
9
4
4
4
4
K
一个
P
P
一个
=
0
。
2
5
7
4
0
8
1
R
年代
H
=
0
。
0
5
5
9
3
9
8
N
F
年代
=
1
1
2
T
P
G
=
1
X
J
=
3
−
7
l
D
=
3
。
1
6
2
2
7
8
−
1
1
W
D
=
7
。
0
4
6
7
2
−
8
C
G
D
O
=
2
。
8
2
−
1
0
C
G
年代
O
=
2
。
8
2
−
1
0
C
G
B
O
=
1
−
1
0
C
J
=
1
−
3
P
B
=
0
。
9
7
5
8
5
3
3
米
J
=
0
。
3
4
4
8
5
0
4
C
J
年代
W
=
3
。
7
7
7
8
5
2
−
1
0
米
J
年代
W
=
0
。
3
5
0
8
7
2
1
管理办公室
l
E
V
E
l
=
3
T
O
X
=
7
。
9
−
9
N
年代
U
B
=
1
1
7
G
一个
米
米
一个
=
0
。
4
0
8
3
8
9
4
P
H
我
=
0
。
7
V
T
O
=
−
0
。
7
1
4
0
6
7
4
D
E
l
T
一个
=
0
U
O
=
2
1
2
。
2
3
1
9
8
0
1
E
T
一个
=
9
。
9
9
9
7
6
2
−
4
T
H
E
T
一个
=
0
。
2
0
2
0
7
7
4
K
P
=
6
。
7
3
3
7
5
5
−
5
V
米
一个
X
=
1
。
1
8
1
5
5
1
5
K
一个
P
P
一个
=
1
。
5
R
年代
H
=
3
0
。
0
7
1
2
4
5
8
N
F
年代
=
1
1
2
T
P
G
=
−
1
X
J
=
2
−
7
l
D
=
5
。
0
0
0
0
0
1
−
1
3
W
D
=
1
。
2
4
9
8
7
2
−
7
C
G
D
O
=
3
。
0
9
−
1
0
C
G
年代
O
=
3
。
0
9
−
1
0
C
G
B
O
=
1
−
1
0
C
J
=
1
。
4
1
9
5
0
8
−
3
P
B
=
0
。
8
1
5
2
7
5
3
米
J
=
0
。
5
C
J
年代
W
=
4
。
8
1
3
5
0
4
−
1
0
米
J
年代
W
=
0
。
5