研究文章

补充高阻抗电压型通用双二次滤波器使用培训

表1

台积电(TSMC) 0.35μCMOS工艺参数。

NMOS

l E V E l = 3 T O X = 7 9 9 N 年代 U B = 1 1 7 G 一个 一个 = 0 5 8 2 7 8 7 1 P H = 0 7 V T O = 0 5 4 4 5 5 4 9 D E l T 一个 = 0 U O = 4 3 6 2 5 6 1 4 7 E T 一个 = 0 T H E T 一个 = 0 1 7 4 9 6 8 4
K P = 2 0 5 5 7 8 6 4 V 一个 X = 8 3 0 9 4 4 4 4 K 一个 P P 一个 = 0 2 5 7 4 0 8 1 R 年代 H = 0 0 5 5 9 3 9 8 N F 年代 = 1 1 2 T P G = 1 X J = 3 7 l D = 3 1 6 2 2 7 8 1 1
W D = 7 0 4 6 7 2 8 C G D O = 2 8 2 1 0 C G 年代 O = 2 8 2 1 0 C G B O = 1 1 0 C J = 1 3 P B = 0 9 7 5 8 5 3 3 J = 0 3 4 4 8 5 0 4 C J 年代 W = 3 7 7 7 8 5 2 1 0 J 年代 W = 0 3 5 0 8 7 2 1

管理办公室

l E V E l = 3 T O X = 7 9 9 N 年代 U B = 1 1 7 G 一个 一个 = 0 4 0 8 3 8 9 4 P H = 0 7 V T O = 0 7 1 4 0 6 7 4 D E l T 一个 = 0 U O = 2 1 2 2 3 1 9 8 0 1 E T 一个 = 9 9 9 9 7 6 2 4
T H E T 一个 = 0 2 0 2 0 7 7 4 K P = 6 7 3 3 7 5 5 5 V 一个 X = 1 1 8 1 5 5 1 5 K 一个 P P 一个 = 1 5 R 年代 H = 3 0 0 7 1 2 4 5 8 N F 年代 = 1 1 2 T P G = 1 X J = 2 7 l D = 5 0 0 0 0 0 1 1 3
W D = 1 2 4 9 8 7 2 7 C G D O = 3 0 9 1 0 C G 年代 O = 3 0 9 1 0 C G B O = 1 1 0 C J = 1 4 1 9 5 0 8 3 P B = 0 8 1 5 2 7 5 3 J = 0 5 C J 年代 W = 4 8 1 3 5 0 4 1 0 J 年代 W = 0 5