研究文章

实验的释放CMOS-Micromachined金属层

图2

高频 高频 2.5 % 缩影照片CMOS-MEMS膜释放的氢氟酸()。蚀刻时间6分钟和30秒浓度是。的武器和部分膜消失,但只有几纳米二氧化硅被移除。
937301. fig.002