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实验的释放CMOS-Micromachined金属层
图2
高频
高频
2.5
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缩影照片CMOS-MEMS膜释放的氢氟酸()。蚀刻时间6分钟和30秒浓度是。的武器和部分膜消失,但只有几纳米二氧化硅被移除。