杂志上的传感器
研究文章

Micro-Optoelectromechanical倾斜传感器

表1

目标设计规范。
互补金属氧化物半导体技术 AMS 0.35μ米2 p4m互补金属氧化物半导体
微机电系统技术 定速SOI /伤害
电源电压 3.3 V
电路规模 2500年μm×2500μ米
设备数 4312年
输入光强(范围) 10 nW /毫米2到100年μW /毫米2
输入系统时钟(范围) 100赫兹1 MHz
输入电流偏置(范围) 1 50 nA nA
倾斜角度范围 330年°(±165°)
倾斜的决议 5°
有效的动态范围 36分贝(6位)
系统功耗 __10 - 35μW
__不含光发射器消费。