纳米技术杂志》
研究文章

空位缺陷对氮化镓的电子结构和光学特性

表1

GaN几何优化后的晶格参数。
/纳米 /纳米
氮化镓(Exp) 0.3189 0.5185 1.626
氮化镓 0.3226 0.5253 1.628
甘: 0.3229 0.5241 1.623
甘: 0.3224 0.5263 1.632