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Qihua Xiong,克雷格·a·格兰姆斯玛吉特撒迦利亚,安娜Fontcuberta我Morral,吴克群Hiruma,国珍沈, ”半导体纳米线和纳米管:从基础到不同的应用程序”,纳米技术杂志》, 卷。2012年, 文章的ID423879年, 2 页面, 2012年。 https://doi.org/10.1155/2012/423879
半导体纳米线和纳米管:从基础到不同的应用程序
研究领域的半导体纳米线(SNWs)和碳纳米管已被发展成一个成熟的学科与几个高度跨学科的分区,如纳电子学、纳米光子学、纳米复合材料、若、光电子学、太阳能电池。SNWs小说代表了一个独特的系统属性相关的一维(1 d)结构。基础物理学关于离散1 d次能带的形成,库仑阻塞效应,弹道运输,和多体的现象在一维纳米线和纳米管提供了一个强大的平台,探索这些纳米结构的各种科学方面。丰富多样的制备方法已经被开发出来用于生成控制一维纳米结构和从范围广泛的材料。目前特殊的问题集中在最近的发展机械的理解合成,纳米线的电子/光学特性的研究及其应用在纳电子学、纳米光子学、太阳能收集。
在这个特殊的问题,我们有几个邀请评论文章和论文贡献解决现状的基本问题与合成和半导体纳米线和纳米管的不同应用程序。论文评审的自顶向下方法的进步发展硅基垂直对齐的纳米线探索小说纳电子学设备架构和集成方案和清洁能源的应用。另一篇论文回顾了最近的进展和实验证据的调查在光学和声学声子在非极性半导体(Si和通用电气)纳米线使用拉曼光谱。本文通过k . Hiruma等人聚光灯III-V半导体纳米线和演示了选择性局部金属有机气相外延生长砷化镓/砷化镓(Al)并输入/在/可使纳米线与垂直轴向和径向方向。摘要写的k . Tateno等人也回顾了vapor-liquid-solid (VLS)种植core-multishell Ga(在)P /砷化镓/差距在硅纳米线基板平顶建筑物纳米线的生成,并介绍了一个有趣的现象通过使用小型非盟粒子在一个增长过程。
剩余的文件说明了研究金属氧化物半导体材料是众所周知的宽的带隙和透明的导电性能。n .宝等人的论文评审自组装TiO的透明薄膜2纳米管阵列,散装异质结太阳能电池,有序异质结太阳能电池,色素增感太阳能电池和液体接触。本文通过j .锅等人提供了一个有用的评论的研究活动集中在合成1 d SnO2纳米结构及其在气体传感设备应用,锂离子电池,纳米光子学。d . Gedamu等人的论文演示了不同路线的研究制造的氧化锌半导体纳米线直接在硅片形成微观结构之间的联系。C.-T的纸。刘等人关注的合成ZnO-nanoparticles制造喷墨打印mask-free薄膜晶体管。新兴的制造流程打印晶体管与氧化锌纳米颗粒作为积极的通道和保利(4-vinylphenol)矩阵作为闸极介电层,分别表明打印材料和印刷技术使所有印刷的使用低成本的灵活的显示透明电子应用程序。
Qihua熊
克雷格·a·格里姆斯
玛吉特撒迦利亚
安娜Fontcuberta我Morral
吴克群Hiruma
国珍沈
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