研究文章
过程和属性直接纳米金属和半导体纳米线在Si芯片的集成
表1
TFF方法的总结:成功的统计数据为10μ米大小的间隙宽度的抗拒。从约。100芯片,80被捏造的成功率在100% 850 - 1200 nm之间的优化光刻胶厚度。
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| 光刻胶的厚度 |
裂缝的形成
(TFF方法) |
氧等离子体蚀刻后裂纹形成 |
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| ≤550海里 |
< 50% |
没有 |
| 600海里 |
> 75% |
没有 |
| 650−850海里 |
100%,直接和一些时间λ形状的 |
没有 |
| 850 - 1200纳米 |
100%,蝴蝶结形状的裂缝 |
没有 |
| ≥1200海里 |
100%,弓状,强烈弯曲裂缝,但光刻胶发生分层 |
没有 |
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