研究文章

过程和属性直接纳米金属和半导体纳米线在Si芯片的集成

图8

(a)导电性as-deposited和退火(400°颈- 1 hr在空气中)50 nm厚的氧化锌西北。(b)当前时间切换周期曲线在恒定电压下的2 V紫外线光照。
325732. fig.008a
(一)
325732. fig.008b
(b)