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纳米技术杂志》
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2012年
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图8
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研究文章
过程和属性直接纳米金属和半导体纳米线在Si芯片的集成
图8
(a)导电性as-deposited和退火(400°颈- 1 hr在空气中)50 nm厚的氧化锌西北。(b)当前时间切换周期曲线在恒定电压下的2 V紫外线光照。
(一)
(b)