研究文章

过程和属性直接纳米金属和半导体纳米线在Si芯片的集成

图6

(a)的AFM图像存入50纳米氧化锌薄膜,在400°C (b)退火1小时。示意图视图之前(c)和之后的氧化锌薄膜退火(d)。
325732. fig.006