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纳米技术杂志》
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2012年
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图6
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研究文章
过程和属性直接纳米金属和半导体纳米线在Si芯片的集成
图6
(a)的AFM图像存入50纳米氧化锌薄膜,在400°C (b)退火1小时。示意图视图之前(c)和之后的氧化锌薄膜退火(d)。