半导体纳米线和纳米管:从基础到不同的应用程序
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科菲·w·Adu马丁·d·威廉姆斯,莫莉犹太人的尊称,Ruwantha Jayasingha,温贝托r·古铁雷斯Gamini Sumanasekera, ”<年代p一个nclass="adjust-article-svg-size">探索声子与拉曼光谱极性半导体纳米线年代p一个n>”,纳米技术杂志》我>, 卷。2012年, 文章的ID264198年, 18 页面, 2012年。 https://doi.org/10.1155/2012/264198
探索声子与拉曼光谱极性半导体纳米线
文摘
我们现在最近的事态发展在拉曼探针在光学和声学声子在非极性半导体纳米线,强调Si和通用电气。首先,回顾现象学的理论空间相关性模型广泛用于解释放缓和不对称展宽低能量中观察到的拉曼概要文件。第二,我们讨论局部不均匀激光加热的影响及其与声子的相互作用限制在Si和通用电气喇曼谱线形状。最后,声学声子监禁,其对热导的影响,导致声子衰减因素的讨论nanodevice制造广泛的影响。
1。介绍
由于拉曼散射的发现过程由拉曼和克里希南(1928年<一个href="#B1">1一个>),1960年由梅曼激光的发明(<一个href="#B2">2一个>- - - - - -<一个href="#B4">4一个>),拉曼光谱已经演变从标准macroprobe散装材料单分子检测的<一个href="#B5">5一个>- - - - - -<一个href="#B11">11一个>]。拉曼光谱的创新,使之成为最广泛使用的技术来探测纳米结构,在透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM), x射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM),如图<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig1/" target="_blank">1一个>。图中的数据<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig1/" target="_blank">1一个>从ISI科学网站收集的1996年1月至2010年7月在纳米表征工具用于探测纳米结构(<一个href="#B12">12一个>]。尽管探测单个纳米结构的拉曼光谱在纳米尺度有限的低空间分辨率(目标)的衍射极限,nano-Raman光谱学的最新进展,包括扫描近场光学显微镜(NSOM),提示增强拉曼光谱(参数)和表面增强拉曼光谱(ser),使单分子检测成为可能(<一个href="#B5">5一个>- - - - - -<一个href="#B11">11一个>,<一个href="#B13">13一个>- - - - - -<一个href="#B17">17一个>),尤其是使用ser和发疯。虽然NSOM是基于光学隧道效应的衰减波的原理,参数和ser是基于表面等离子体的激发nanometals的表面。过程产生自由电子在金属表面的集体振动与共振振荡波入射光的电场。表面电荷之间的相互作用和电磁场有助于集中的光在金属的表面,导致电场增强。不管这样的伟大创新技术在nano-Raman光谱学,近84%(见图<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig1/" target="_blank">1一个>)的拉曼表征使用常规拉曼光谱探针纳米级样品(<一个href="#B12">12一个>];总体效果,探索纳米结构,而不是单独的纳米结构。
戏剧性的飙升的使用拉曼光谱探测纳米结构主要是由于巨大的信息(如无定形化、缺陷、样品温度(局部加热),大小分布,应变效应,声子监禁,类型的掺杂,相分离,载体浓度、和流动性)(<一个href="#B18">24一个>- - - - - -<一个href="#B32">38一个>),可以很容易从分析获得的拉曼峰值频率和线宽的概要文件。此外,(i)的无损喇曼探测技术,(2)有限或没有样品制备,(iii)同步<我>原位我>测量(iv)亚微米空间分辨率加上AFM(参数)或扫描电镜,(v)非常高灵敏度再加上表面增强/磁共振光谱学使拉曼光谱一个易于使用的工具快速样本筛选。因此,拉曼光谱已经被广泛地用于探测光学声子、表面声子,声学声子和天线效应在纳米线。
在本文中,我们专注于最近的事态发展在光学和声学声子限制在非极性半导体纳米线,使用Si和通用电气为例,因为很多,我们在这里讨论的概念适用于任何相关系统。等现象在纳米线天线效应和表面声子没有提及。在这一章,我们将回顾光学和声学声子特性使用硅和锗纳米线作为原型和新声子色散由于径向(周)的约束。此外,我们将回顾物理性能如热导率显著影响声子监禁。
我们理解的大部分属性晶体和无定形硅和通用电气继续对电子的发展意义重大,光电、光伏、和其他设备,以及整个社会。过去的二十年里已经看到科学进步在低维系统通过减少三维体积系统(3 d)二维(2 d)一维薄膜系统和准一维(1 d)系统的纳米线和纳米管<一个href="#B33">39一个>- - - - - -<一个href="#B58">64年一个>)和零维(0 d)系统的量子点<一个href="#B33">39一个>- - - - - -<一个href="#B35">41一个>]。
使用脉冲激光蒸发后纳米线的生长1998年,不同的合成技术已经开发使用vapor-liquid-solid机制(VLS) [<一个href="#B59">65年一个>- - - - - -<一个href="#B73">79年一个>]。这些导致了激烈的研究活动由于独特的纳米线的属性与大部分同行相比,和几个纳米线的应用包括传感器、晶体管和逻辑门,电子光学、热电、光伏、电化学电容器和电池。大多数这些应用程序利用量子限制效应在小直径,Si和通用电气都发生在直径≤20 nm (<一个href="#B38">44一个>- - - - - -<一个href="#B41">47一个>,<一个href="#B74">80年一个>]。这两个理论(<一个href="#B75">81年一个>- - - - - -<一个href="#B78">84年一个>)和实验(<一个href="#B77">83年一个>,<一个href="#B79">85年一个>- - - - - -<一个href="#B82">88年一个>)的证据监禁在纳米线的电子态的影响已报告如果和其他纳米线(<一个href="#B83">89年一个>- - - - - -<一个href="#B85">91年一个>]。这些报告显示从间接带隙转变为直接带隙的纳米线直径的带隙尺度~ D<年代up>−1.7年代up>(<一个href="#B77">83年一个>,<一个href="#B78">84年一个>,<一个href="#B82">88年一个>,<一个href="#B86">92年一个>,<一个href="#B87">93年一个>]。纳米线的大多数研究集中在电子状态;然而,声子在纳米线的重要性在怎么强调都不为过。大部分的电子属性是复杂的声子散射的影响,因为它是在高温下的主导散射机制。声子的影响约束、几何形状和表面粗糙度的纳米线导热系数、比热容、电子迁移率已经从理论和实验上证明(<一个href="#B88">94年一个>- - - - - -<一个href="#B95">101年一个>]。不同的约束模型包括晶格动力学仿真(<一个href="#B96">102年一个>)和空间相关性(现象)<一个href="#B12">12一个>,<一个href="#B38">44一个>- - - - - -<一个href="#B41">47一个>,<一个href="#B74">80年一个>,<一个href="#B97">103年一个>- - - - - -<一个href="#B105">111年一个>模型被用来计算声子色散和喇曼谱线形状的纳米线,分别。稍后我们将讨论现象学模型。然而,读者感兴趣的晶格动力学计算应该看到[<一个href="#B96">102年一个>]。
大多数光学声子监禁在文献中报道的半导体纳米线(a)如果,通用电气,(b) III-VI II-VII化合物,和(c)氧化物化合物分析了他们的结果使用空间相关性模型开发的里希特和同事(<一个href="#B100">106年一个>),进一步延长坎贝尔和法伽(<一个href="#B101">107年一个>]。应用该模型对实验数据和激光通量的影响拉曼谱线形状将在这里讨论。
小直径半导体纳米线具有声子限制由于声子wavevector的长度<年代vg height="9.875" id="M1" style="vertical-align:-2.29482pt;width:7.9124999px;" version="1.1" viewbox="0 0 7.9124999 9.875" width="7.9124999" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
锗和硅属于立方<年代vg height="17.737499" id="M11" style="vertical-align:-3.13504pt;width:23.6px;" version="1.1" viewbox="0 0 23.6 17.737499" width="23.6" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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如果我们比较无序的一阶拉曼光谱和晶体硅,我们观察一把锋利的洛伦兹峰在~ 520厘米<年代up>−1年代up>半宽度(应用)~ 4厘米<年代up>−1年代up>结晶状态。强无序如果另一方面展品的拉曼光谱方法计算声子态密度图所示<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig3/" target="_blank">3(一个)一个>。在这种情况下,峰值在~ 520厘米<年代up>−1年代up>~ 100厘米现在展览的半最大值宽度<年代up>−1年代up>,~ 25倍不止水晶散装。在图<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig4/" target="_blank">4一个>厚,计算声子态密度(实线),拉曼光谱(细实线)和计算拉曼光谱(虚线)的一个高度无序Si比较(<一个href="#B113">23一个>]。很明显,实验和计算拉曼数据的协议。它也可以推断出,矩阵元素的影响很重要,如果一个真正需要数据的定量分析。然而,高度无序系统的拉曼光谱可以提供非常重要的声子态密度在整个频率范围的信息。
第一布里渊区是最小的体积完全包围飞机的垂直平分线是互惠晶格向量是从原点。该地区在<我>k我>讨论,低收入<我>k我>声子可以占领没有衍射叫做第一布里渊区。它包含声子与<我>k我>值从0到<年代vg height="10.9125" id="M20" style="vertical-align:-0.17555pt;width:21.8125px;" version="1.1" viewbox="0 0 21.8125 10.9125" width="21.8125" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
声子晶体的晶格中传播波和色散取决于他们的波长(<一个href="#B114">118年一个>]。对于一个给定的纳米线材料,限制影响可能表现出不同的非对称展宽和变化,根据对称性的声子色散曲线。也有依赖某些对称性的激发能,声子更响应共振条件(<一个href="#B115">119年一个>]。横向声子限制在纳米线由于其一维几何。wavevector无限制的纵向(<年代vg height="7.375" id="M25" style="vertical-align:-0.17555pt;width:7.9250002px;" version="1.1" viewbox="0 0 7.9250002 7.375" width="7.9250002" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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散装晶体材料、拉曼光谱和其他光学声子技术只能探测区中心。没有晶格周期性纳米晶体材料能缓解这个问题<年代vg height="13.55" id="M33" style="vertical-align:-2.29482pt;width:34.487499px;" version="1.1" viewbox="0 0 34.487499 13.55" width="34.487499" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
本章的组织如下。我们将讨论的部分<一个href="#sec2">2一个>光学声子的空间相关性现象学模型,与实验数据从拉曼光谱在光学声子在硅和锗纳米线部分<一个href="#sec3">3一个>。节<一个href="#sec4">4一个>的影响,我们将讨论当地非齐次激光加热硅和锗纳米线的拉曼概要文件。声学声子限制及其对热导的影响将在部分<一个href="#sec6">6一个>和部分<一个href="#sec7">7一个>将致力于总结本文的主要观点和建议未来研究声子监禁。
2。理论模型的声子限制在纳米线
2.1。空间相关性模型的拉曼散射在纳米线的光学声子
里希特和同事(<一个href="#B100">106年一个>]首先提出一个现象学声子约束模型(有时称为级模型)来解释实验观察减速和非对称展宽的一阶拉曼晶体纳米结构。他们的方法自然放松导致大部分晶体动量守恒的散射过程。假设一个球形纳米晶体的形状和使用直径作为可调参数,他们电影的拉曼谱线形状的小硅纳米晶体。他们的模型进一步扩展了坎贝尔和法伽(<一个href="#B101">107年一个>]谁考虑过其他的纳米晶体的形状(即。、电线和血小板)。
Si和通用电气,纵光学(LO)和切向光学模式简并的<年代vg height="10.475" id="M36" style="vertical-align:-0.0pt;width:9.3000002px;" version="1.1" viewbox="0 0 9.3000002 10.475" width="9.3000002" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
级模型线形函数的一阶拉曼纳米线轮廓度表示的横向声子wavevector (<年代vg height="10.925" id="M40" style="vertical-align:-3.13504pt;width:15.4875px;" version="1.1" viewbox="0 0 15.4875 10.925" width="15.4875" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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3所示。实验证据限制光学声子的纳米线
光学晶格声子传播的单晶波和展览色散波长取决于他们的,或者说他们wavevector在布里渊区<一个href="#B114">118年一个>]。动量守恒的自然选择规律决定了该地区的布里渊区中可以访问喇曼散射过程。在拉曼散射实验中,散射矢量的大小<年代vg height="14.825" id="M56" style="vertical-align:-3.2316pt;width:81.462502px;" version="1.1" viewbox="0 0 81.462502 14.825" width="81.462502" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
此外,它也被观察到,支持衬底中扮演一个重要的角色在拉曼散射实验<一个href="#B38">44一个>,<一个href="#B40">46一个>,<一个href="#B74">80年一个>,<一个href="#B121">124年一个>]。如果支持基质是可怜的热导体,拉曼峰转向低频率由于加热<一个href="#B38">44一个>,<一个href="#B40">46一个>,<一个href="#B74">80年一个>]。有大量证据表明,量子限制和不均匀加热引起红移和不对称扩大相对于大部分,在拉曼光谱光学声子的硅和锗纳米线(<一个href="#B38">44一个>,<一个href="#B40">46一个>,<一个href="#B119">122年一个>,<一个href="#B120">123年一个>,<一个href="#B122">125年一个>]。在这里,我们专注于声子监禁一阶拉曼光谱的半导体纳米线的Si和通用电气和将讨论非均匀加热后的效果。
3.1。半导体纳米线:Si和通用电气
硅纳米线一直是纳米半导体研究原型由于绝大大部分同行信息。最早的报道声子限制在纳米线<一个href="#B100">106年一个>,<一个href="#B101">107年一个>专注于Si。拉曼峰的形状和频率由于光学声子散射被认为是依赖于纳米线的直径。声子的监禁的声子的平均自由程与纳米线的直径(<一个href="#B41">47一个>]。图<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig7/" target="_blank">7(一)一个>显示第一个系统的拉曼光谱的发展报告的硅纳米线直径3 D≤≤20 nm。开放的圆圈表示原始拉曼数据,实线是一个最小平方级的模型包括直径分布(<一个href="#EEq3">3一个>)。它描述了一个不对称展宽低频率和调低速档Adu和同事报道(<一个href="#B41">47一个>]。类似的参数可以为Ge纳米线已报道Jalilian和同事<一个href="#B74">80年一个>]。
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数据<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig7/" target="_blank">7 (b)一个>和<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig7/" target="_blank">7 (c)一个>的情节是测量光学声子的峰值频率,与Si和Ge纳米线直径(<一个href="#B41">47一个>,<一个href="#B74">80年一个>]。实线是一个指南。这些情节显示通用电气和Si声子之间的显著差异。绝对转变的情况下,如果4.5和9.5 nm之间的斜率是0.9086厘米<年代up>−1年代up>/ nm和通用电气斜率之间的5和10 nm是0.7634厘米<年代up>−1年代up>/ nm。随着纳米线直径减小,绝对拉曼的转移到声子增加但喇曼转移相对于批量减少,按照理论(<一个href="#B41">47一个>]。Ge纳米线声子显然只有达到bulk-like行为在一个直径10至20 nm而对于硅发生5至10纳米。通用电气和硅纳米线具有声子监禁,诱发绝对拉曼转变超过5厘米<年代up>−1年代up>(<一个href="#B41">47一个>,<一个href="#B74">80年一个>]。拉曼转移相对于批量的范围,然而,大约2.6和7厘米<年代up>−1年代up>分别对Si和通用电气。尽管Si和通用电气的绝对拉曼转换显示正曲率与纳米线直径,通用电气的曲率是负相关转变。应该注意的是,使用的激发激光波长数据<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig7/" target="_blank">7 (b)一个>和<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig7/" target="_blank">7 (c)一个>几乎是在共振Si样本但远离通用电气的样本。
4所示。非齐次激光加热对限制光学声子的影响
通常情况下,激光照射在拉曼测量会导致样品加热和光子激发的载流子(<一个href="#B98">104年一个>,<一个href="#B123">126年一个>- - - - - -<一个href="#B127">130年一个>]。降低速度和扩大喇曼乐队散装材料,随着激光辐射,通常是确定是由于激光加热。可怜的热接触纳米线的底物和强烈的聚焦激光束的微拉曼光谱仪可以导致重要的加热样品。在本节中,我们讨论了一阶拉曼光谱的温度依赖通用电气和硅纳米线由于激光功率的变化和热导率的纳米线在衬底上。量子声子之间微妙的关系约束和局部加热效应影响的频移和不对称拉曼光谱的展宽。
Stokes-anti-Stokes强度比一阶拉曼光谱通常是用来确定当地的纳米线样品的温度。强度比与温度有关<年代p一个nclass="equation" id="EEq4">
在哪里<年代vg height="11.05" id="M69" style="vertical-align:-3.2316pt;width:16.4px;" version="1.1" viewbox="0 0 16.4 11.05" width="16.4" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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逆声子寿命对温度的依赖关系(应用)的形式(<一个href="#B125">128年一个>- - - - - -<一个href="#B127">130年一个>)是<年代p一个nclass="equation" id="EEq8">
在哪里<年代vg height="10.475" id="M83" style="vertical-align:-0.0pt;width:9.3000002px;" version="1.1" viewbox="0 0 9.3000002 10.475" width="9.3000002" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
拉曼的不对称展宽频带归因于范诺干扰离散光学声子的散射和电子之间连续由于photon-excited电荷载体(<一个href="#B123">126年一个>]。在足够的掺杂水平,电子和空穴在半导体行业参与非弹性散射导致范诺共振。法诺谱线形状的不对称依赖于电子声子耦合强度。由于观察低频不对称的尾巴,法诺的贡献不对称展宽的共振拉曼光谱可以排除,因为激光激发产生等量的空穴和电子在纯的通用电气和Si。不对称线的形状在声子模式也是受应变引起的氧化层。没有迹象表明,有限的氧化层有任何贡献不对称线的形状。
一个耦合的现象学模型,占声子监禁和温度效应最好的描述观察到的不对称一阶拉曼光谱为通用电气和硅纳米线表示为<年代p一个nclass="equation" id="EEq10">
在哪里<年代vg height="19.65" id="M89" style="vertical-align:-0.13794pt;width:71.212502px;" version="1.1" viewbox="0 0 71.212502 19.65" width="71.212502" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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5。实验证据的非齐次激光加热硅和锗纳米线
大量的报告不均匀激光热效应在纳米线的一阶拉曼光谱已发表在文献[<一个href="#B38">44一个>- - - - - -<一个href="#B40">46一个>,<一个href="#B74">80年一个>,<一个href="#B98">104年一个>,<一个href="#B104">110年一个>,<一个href="#B118">113年一个>,<一个href="#B127">130年一个>- - - - - -<一个href="#B129">132年一个>]。在这里,我们总结我们的研究结果对声子耦合约束和非齐次激光加热硅和锗纳米线。图<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig10/" target="_blank">10一个>显示的硅纳米线的拉曼光谱与最可能6 nm直径和23海里好(b, d)和穷人(a, c)热锚定支撑衬底(<一个href="#B38">44一个>,<一个href="#B40">46一个>]。6 nm和23 nm直径纳米线表现出实质性的红移与通量增加效率低下时支撑衬底耦合热。23 nm直径纳米线,很少有高、低频率区别通量之间有良好的热接触纳米线和支撑衬底。的6纳米硅纳米线直径差固定在基板上,我们看到一个红移峰位置的函数增加通量。相应的情节不对称的激光通量数据所示的函数<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig10/" target="_blank">10 (e)一个>和<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig10/" target="_blank">10 (f)一个>。23 nm纳米线具有单调增加不对称与激光通量增加对贫穷和支撑衬底(图的好热安克雷奇<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig10/" target="_blank">10 (e)一个>)。另一方面,6纳米的硅纳米线具有良好的热基质安克雷奇,不对称最初持平,然后下降,最后随流量增加而增大。nonmonotonicity观察到的不对称6 nm纳米线是归因于低覆盖率和良好的热接触的铟衬底清楚地演示了声子的相互作用限制(主要在低通量)和非齐次激光加热(占主导地位的高通量)<一个href="#B38">44一个>,<一个href="#B40">46一个>]。同样,通用电气在石英和锗纳米线的拉曼光谱基质表现出类似的报道特点Jalilian et al。<一个href="#B74">80年一个>]。加热效应对纳米线生长的发现更加明显,在石英(导热系数分析<年代vg height="11.0375" id="M92" style="vertical-align:-0.17555pt;width:36.612499px;" version="1.1" viewbox="0 0 36.612499 11.0375" width="36.612499" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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激光加热的影响也被观察到具有二阶拉曼光谱的硅纳米线,如图<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig12/" target="_blank">12一个>(<一个href="#B118">113年一个>]。温度引起的拉曼光谱的红移2 ta (<年代vg height="10.6875" id="M97" style="vertical-align:-0.0pt;width:11.4125px;" version="1.1" viewbox="0 0 11.4125 10.6875" width="11.4125" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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6。声学声子限制
总wavevector以来一个非弹性光散射过程是守恒的,也就是说,<年代vg height="13.55" id="M107" style="vertical-align:-2.29482pt;width:82.300003px;" version="1.1" viewbox="0 0 82.300003 13.55" width="82.300003" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
纳米线的声学声子色散是更复杂,他们的大部分同行相比显著改变。如图<一个href="//www.newsama.com/journals/jnt/2012/264198/fig2/" target="_blank">2 (c)一个>对于大部分Si,就是其中之一<年代vg height="10.55" id="M126" style="vertical-align:-0.0pt;width:22.4px;" version="1.1" viewbox="0 0 22.4 10.55" width="22.4" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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6.1。热导率
广泛从事声学声子的影响监禁在III-V化合物和Si-based纳米结构显示声学声子群速度较低,较低的导热系数,并增加散射率相比,他们的大部分同行(<一个href="#B133">135年一个>- - - - - -<一个href="#B135">137年一个>]。声学声子散射率是影响纳米线表面粗糙度和监禁在圆周方向上(当直径与声子平均自由程)。
一般来说,热导率(<年代vg height="10.7375" id="M128" style="vertical-align:-0.13794pt;width:8.6000004px;" version="1.1" viewbox="0 0 8.6000004 10.7375" width="8.6000004" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
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7所示。摘要和结论
在本文中,我们回顾了声子限制效应在纳米线中使用Si和Ge-nanowire原型。此处介绍的概念适用于半导体材料的纳米线。我们提供实验和理论模型,首先提出的里希特和同事解释实验观察到声子监禁在Si(减速和不对称展宽)效果和Ge纳米线和声子的相互作用约束和非齐次激光加热的拉曼光谱一阶拉曼的较小的Si (<年代vg height="12.3" id="M133" style="vertical-align:-1.29163pt;width:47.487499px;" version="1.1" viewbox="0 0 47.487499 12.3" width="47.487499" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg">
我们还提出了径向约束的影响在声学声子的纳米线,尤其是在硅纳米线。使用弹性理论计算continuummodel预测声分支的数量大于或等于4根据纳米线直径。硅纳米线,都清楚地显示抑制的理论计算和实验测量热导率降低纳米线直径的纳米线。压制是由于声学声子监禁和纳米线表面粗糙度。
到目前为止,已经有有限的实验报告的测量声学声子在纳米线,特别是如果和通用电气。敏感需要实验来调查这些新声子属性“局限”纳米线。
确认
这项工作是支持的,在某种程度上,由NSF资助(eccs - 0925835)和宾夕法尼亚州立大学阿尔图纳研究和赞助的项目。
引用
- c . v .拉曼和k . s .克里希,“一种新型的二次辐射,”<我>自然我>,卷121,不。3048年,第502 - 501页,1928年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=A%20new%20type%20of%20secondary%20radiation&author=C. V. Raman &author=K. S. Krishnan&publication_year=1928" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- t·h·梅曼”刺激光辐射在Ruby中,“<我>自然我>,卷187,不。4736年,第494 - 493页,1960年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1038/187493a0">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- t·h·梅曼在Ruby中,光学和微波实验”<我>物理评论快报我>,4卷,不。11日,第566 - 564页,1960年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.4.564">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- t·h·梅曼刺激光学发射在Ruby中,“<我>美国光学学会杂志》上我>,50卷,不。11,1134年,页1960。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Stimulated%20optical%20emission%20in%20Ruby&author=T. H. Maiman&publication_year=1960" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- t . n .粪便,d . j . Kim和k . s . Kim”控制金纳米粒子的合成和生物分子探针应用,”<我>微米我>,42卷,不。3、207 - 227年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/j.micron.2010.09.008">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- l . j .徐张h .龚j . Homola问:玉,“调整电浆纳米结构最优ser感应的小分子和大量微生物,”<我>小我>,7卷,不。3、371 - 376年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/smll.201001673">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- e .西班牙,r .小岛,r . b . Kaner et al .,“高灵敏度DNA检测使用金纳米颗粒functionalised聚苯胺纳米纤维,”<我>生物传感器和生物电子学我>,26卷,不。5,2613 - 2618年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/j.bios.2010.11.017">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- w·谢·邱毛和c,“能,检测和分析通过使用纳米结构作为ser基质,”<我>《材料化学我>,21卷,不。14日,第5202 - 5190页,2011年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1039/c0jm03301d">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 罗。李,x, x t·崔和m . Yun”高度敏感的单聚苯胺纳米线生物传感器的检测免疫球蛋白G和肌红蛋白,”<我>生物传感器和生物电子学我>,26卷,不。7,3297 - 3302年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/j.bios.2011.01.001">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- s . Habouti m . Matefi-Tempfli c - h。Solterbeck m . Es-Souni s . Matefi-Tempfli, m . Es-Souni”独立的波纹Ag)和Au-nanorods对于电浆的应用程序,“<我>《材料化学我>,21卷,不。17日,第6273 - 6269页,2011年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1039/c0jm03459b">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- b . r .木头,e . Bailo m·a·Khiavi et al .,“Tip-enhanced喇曼散射(参数)疟原虫色素晶体切割红细胞内,“<我>纳米快报我>,11卷,不。5,1868 - 1873年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl103004n">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- z z . v . PopovićDohčević-Mitrović,m .Ŝćepanovićm . Grujić-Brojčin和s Aŝkrabić“拉曼散射在纳米材料和纳米结构,<我>尤其是物理学我>,卷523,不。1 - 2、62 - 74年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/andp.201000094">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 和j·t·Vo-Dinh h . n . Wang Scaffidi,“电浆nanoprobes为爵士若bioimaging,”<我>Biophotonics杂志我>,3卷,不。1 - 2、89 - 102年,2010页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/jbio.200910015">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- r . a . Alvarez-Puebla和l . m . Liz-Marzan SERS-based诊断和biodetection。”<我>小我>》第六卷,没有。5,604 - 610年,2010页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/smll.200901820">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- m·p·切j .香港c Lim et al .,“超速的表面增强共振喇曼散射检测在droplet-based微流控系统中,“<我>分析化学我>,卷83,不。8,3076 - 3081年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/ac103329b">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- r . Contreras-Caceres s Abalde-Cela p Guardia-Giros et al .,“多功能微凝胶磁/光学陷阱ser ultradetection,”<我>朗缪尔我>,27卷,不。8,4520 - 4525年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/la200266e">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- w·基弗(主编),“Tip-enhanced拉曼光谱,”<我>杂志的拉曼光谱我>,40卷,不。10日,1335 - 1457年,2009页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Tip-enhanced%20Raman%20spectroscopy&author=W. Kiefer (ed.)&publication_year=2009" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- 大肠Kasper和k . Lyutovich Eds。<我>硅和锗,锗硅的性质:C我>,收集,伦敦,英国,2000年。<年代p一个nclass="reflinks">
- g·尼尔森和g . Nelin”之间的同源性研究硅和锗热中子能谱,”<我>物理评论B我>》第六卷,没有。10日,3777 - 3786年,1972页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.6.3777">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- w .剑、z开明和x希德、“重新调查的助教模式在通用电气和Si Born-von卡曼模型,”<我>固态通信我>,卷86,不。11日,第734 - 731页,1993年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Reinvestigation%20of%20the%20TA%20modes%20in%20Ge%20and%20Si%20in%20Born-von%20Kármán%20model&author=W. Jian&author=Z. Kaiming&author=&author=X. Xide&publication_year=1993" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- g .痛单位<我>在固体和液体中子非弹性散射我>国际原子能机构,维也纳,奥地利,1963年。<年代p一个nclass="reflinks">
- g·尼尔森和g . Nelin“声子色散关系在通用电气在80 K,”<我>物理评论B我>,3卷,不。2、364 - 369年,1971页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.3.364">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- j·e·史密斯Jr .) m·h·布罗斯基b·l·克劳德和内森,“晶硅的拉曼散射,通用电气和III-V半导体,”<我>《晶状固体我>,8 - 10卷,第184 - 179页,1972年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Raman%20scattering%20in%20amorphous%20Si,%20Ge%20and%20III-V%20semiconductors&author=J. E. Smith Jr.&author=M. H. Brodsky&author=B. L. Crowder&author=&author=M. I. Nathan&publication_year=1972" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- r . Beserman和t·伯恩斯坦,”拉曼散射测量的自由载流子浓度和杂质位置注硼硅,”<我>应用物理杂志我>,48卷,不。4、1548 - 1550年,1977页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.323876">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- j . Ibanez说,r·库斯科和l . Artus”喇曼散射自由电荷密度测定使用修改后的流体的模型中,“<我>自然史的地位相当于当时B我>,卷223,不。3、715 - 722年,2001页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/1521-3951(200102)223:3<715::AID-PSSB715>3.0.CO;2-O">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- w .荡妇,j .而且,m . Aigle et al .,“空间表征的材料解决台光谱成分和自由载流子浓度的表面选择性生长层,”<我>杂志的晶体生长我>,卷188,不。1 - 4、225 - 230年,1998页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Spatially%20resolved%20characterization%20of%20material%20composition%20and%20free%20carrier%20concentration%20by%20micro-Raman%20spectroscopy%20at%20surface%20selectively%20grown%20layers&author=W. Limmer&author=J. Gerster&author=M. Aigle et al.&publication_year=1998" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- b . Boudart b Prevot施瓦布,“自由载流子浓度n型可使晶体由拉曼散射测量,”<我>应用表面科学我>,50卷,不。1 - 4、295 - 299年,1991页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Free-carrier%20concentration%20in%20n-doped%20InP%20crystals%20determined%20by%20Raman%20scattering%20measurements&author=B. Boudart&author=B. Prévot&author=&author=C. Schwab&publication_year=1991" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- m .公园,j·j·科莫,b·j·罗德里格斯w·c·杨,r . j . Nemanich o . Ambacher,“台电子属性反演领域研究GaN-based横向极性异质结构,”<我>应用物理杂志我>,卷93,不。12日,第9547 - 9542页,2003年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.1570507">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- m . Gargouri b Prevot施瓦布,”拉曼散射晶格损伤和脑电活动评估beryllium-implanted砷化镓,”<我>应用物理杂志我>,卷62,不。9日,第3911 - 3902页,1987年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Raman%20scattering%20evaluation%20of%20lattice%20damage%20and%20electrical%20activity%20in%20beryllium-implanted%20gallium%20arsenide&author=M. Gargouri&author=B. Prevot&author=&author=C. Schwab&publication_year=1987" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- j·b·Renucci m . a . Renucci和m·卡多纳·“拉曼sepctroscopy比格斯合金,”<我>《国际会议在固体颗粒的光散射我>弗拉马利翁出版社科学,巴黎,法国,1971年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Raman%20sepctroscopy%20in%20Ge-Si%20alloys&author=J. B. Renucci&author=M. A. Renucci&author=&author=M. Cardona" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- f . La Via s Privitera m·g·格里马尔迪·e·里米尼,s . Quilici和f . Meinardi C54成核站点密度测定薄层电阻测量和窄的条纹<我>μ我>拉曼光谱学。”<我>微电子工程我>,50卷,不。1 - 4、139 - 145年,2000页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/S0167-9317(99)00274-9">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 沙利和d . m . Aslam”效应的postdeposition退火resistivitity p型聚晶金刚石的电影,”<我>应用物理快报我>,卷69,不。14日,第2052 - 2051页,1996年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Effect%20of%20postdeposition%20anneal%20on%20the%20resistivitity%20of%20p-type%20polycrystalline%20diamond%20films&author=S. Sahli &author=D. M. Aslam&publication_year=1996" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- 麻省理工学院阿隆索和k·维纳c-Si1-xGex合金的拉曼光谱,”<我>物理评论B我>,39卷,不。14日,第10062 - 10056页,1989年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.10056">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- c·s·尼科尔斯m·f·罗斯和c . y .方”振动特性的非晶硅频率范围250 - 450厘米<年代up>−1年代up>”,<我>物理评论B我>,32卷,不。2、1061 - 1067年,1985页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.1061">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 藤井裕久,”过程和拉曼光谱检测装置的缺陷在半导体器件氧化阳极化处理的电影中,“<我>日本Kokai Tokkyo Koho我>,p . 2003。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Process%20and%20apparatus%20for%20Raman%20spectra%20detection%20of%20defects%20in%20anodized%20oxide%20films%20in%20semiconductor%20devices&author=S. Fujii&publication_year=2003" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- t .野田佳彦“半导体分析仪器,半导体分析方法和制造半导体器件的方法,”美国专利,2003年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Semiconductor%20analysis%20apparatus,%20semiconductor%20analysis%20method%20and%20method%20for%20manufacturing%20semiconductor%20device&author=T. Noda" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- r . j . f . Morhange Beserman, j . Bourgoin”喇曼散射的使用缺陷研究离子注入半导体”<我>国际国会程序的使用电子Ioniques突起我>,171年,页1974。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=The%20use%20of%20Raman%20scattering%20for%20defect%20study%20in%20ion%20implanted%20semiconductors&author=J. F. Morhange&author=R. Beserman&author=&author=J. Bourgoin" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- d d Tuschel和j.p. Lavine台表征arsenic-implanted硅,不寻常的缺陷结构”<我>学报1999年秋季夫人Meeting-Symposium P:半导体的光学显微结构的表征我>,2000年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Micro-Raman%20characterization%20of%20unusual%20defect%20structure%20in%20arsenic-implanted%20silicon&author=D. D. Tuschel &author=J. P. Lavine" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- 公元Yoffe“低维系统:半导体量子尺寸效应和电子性质的微晶(零维系统)和一些quasi-two-dimensional系统”<我>物理学的进步我>,51卷,不。2、799 - 890年,2002页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1080/00018730110117451">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 公元Yoffe”,半导体量子点和相关系统:电子、光学、发光和相关属性的低维系统,”<我>物理学的进步我>,50卷,不。1、1 - 208、2001页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Semiconductor%20quantum%20dots%20and%20related%20systems:%20electronic,%20optical,%20luminescence%20and%20related%20properties%20of%20low%20dimensional%20systems&author=A. D. Yoffe&publication_year=2001" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- 公元Yoffe“低维系统:半导体量子尺寸效应和电子性质的微晶(零维系统)和一些quasi-two-dimensional系统”<我>物理学的进步我>,42卷,不。2、173 - 266年,1993页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Low-dimensional%20systems:%20quantum%20size%20effects%20and%20electronic%20properties%20of%20semiconductor%20microcrystallites%20(zero-dimensional%20systems)%20and%20some%20quasi-two-dimensional%20systems&author=A. D. Yoffe&publication_year=1993" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- 帕洛塔o . j . g . t . p . Saccone, r·e·伍尔福德”可以检测系统胆道和胰腺导管系统之间的差别,”<我>医学和生物工程和计算机我>,44卷,不。3、250 - 255年,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1007/s11517-006-0035-3">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- k . m . Sawicka a·k·普拉萨德,p . i Gouma“金属氧化物纳米线用于化学传感应用,”<我>传感器信我>,3卷,不。1,31-35,2005页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1166/sl.2005.010">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- k w . Adu h r·古铁雷斯和p·c·埃克伦,“半导体纳米线Raman-active声子线配置文件”,<我>振动光谱我>,42卷,不。1,第175 - 165页,2006。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/j.vibspec.2006.04.018">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- k . w . Adu Xiong, h·r·古铁雷斯g . Chen和p·c·埃克伦,”拉曼散射声子监禁和表面的探测光在半导体纳米线模式,”<我>应用物理我>,卷85,不。3、287 - 297年,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1007/s00339-006-3716-8">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- k w . Adu h r·古铁雷斯,j . Kim和p·c·埃克伦,“不均匀在硅纳米线激光加热和声子限制:一台散射研究中,“<我>物理评论B我>,卷73,不。15篇文章ID 155333 9页,2006。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.73.155333">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- k w . Adu h r·古铁雷斯,j . Kim g . Sumanasekera, p·c·埃克伦,“关声子在硅纳米线,”<我>纳米快报我>,5卷,不。3、409 - 414年,2005页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl0486259">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 美国Bhattacharya d·巴纳吉k . w . Adu的寒,和美国Bhattacharyya“监禁在硅纳米线:光学特性,”<我>应用物理快报我>,卷85,不。11日,第2010 - 2008页,2004年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.1787164">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- j . y . Li, f .钱et al .,“Dopant-free GaN / AlN /沃甘径向纳米线异质结构高电子迁移率晶体管,”<我>纳米快报我>》第六卷,没有。7,1468 - 1473年,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl060849z">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- f . Patolsky g .郑,c . m .利”为医学和生命科学、纳米线传感器”<我>纳米我>,1卷,不。1,51 - 65,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.2217/17435889.1.1.51">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- f . Patolsky g .郑,c . m .利”label-free制造超灵敏的硅纳米线设备,实时检测生物和化学物种,”<我>自然的协议我>,1卷,不。4、1711 - 1724年,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1038/nprot.2006.227">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- f . Patolsky g .郑,c . m .利”Nanowire-based生物传感器”,<我>分析化学我>,卷78,不。13日,4260 - 4269年,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/ac069419j">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- g . f .郑、f . Patolsky和c·m·利伯”INOR 32-general和强大的平台,大规模、label-free,平行电检测生物分子的超灵敏的纳米线晶体管阵列,”<我>第231届美国化学学会全国会议程序我>2006年3月,亚特兰大,乔治亚州,美国。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=INOR%2032—general%20and%20powerful%20platform%20for%20large-scale,%20label-free,%20parallel%20electrical%20detection%20of%20biomolecules%20by%20ultrasensitive%20nanowire%20transistor%20arrays&author=G. F. Zheng&author=F. Patolsky&author=&author=C. M. Lieber" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- p . v . Radovanovic c . j . Barrelet s Gradecak f .钱和c m·利伯”INOR 70 -通用合成和性质manganese-doped族化合物和III-V稀释磁性半导体纳米线”<我>第230届美国化学学会全国会议程序我>美国,华盛顿特区,2005年8月。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=INOR%2070—general%20synthesis%20and%20properties%20of%20manganese-doped%20II-VI%20and%20III-V%20diluted%20magnetic%20semiconductor%20nanowires&author=P. V. Radovanovic&author=C. J. Barrelet&author=S. Gradecak&author=F. Qian&author=&author=C. M. Lieber" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- f . y . Li钱、j .香和c·m·利伯“纳米线电子和光电设备,”<我>材料今天我>,9卷,不。10日,18-27,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/S1369-7021(06)71650-9">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- j . y . Li, f .钱et al .,“INOR 822 -径向异质结构纳米线高电子迁移率晶体管”<我>第231届美国化学学会全国会议程序我>2006年3月,亚特兰大,乔治亚州,美国。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=INOR%20822—Nanowire%20radial%20heterostructures%20as%20high%20electron%20mobility%20transistors&author=Y. Li&author=J. Xiang&author=F. Qian et al." target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- j ., a . Vidan m . Tinkham r·m·韦斯特维尔特介绍和c·m·利伯,”通用电气/硅纳米线介观约瑟夫森结,“<我>自然纳米技术我>,1卷,不。3、208 - 213年,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1038/nnano.2006.140">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- j ., w . Lu, y, y, h .燕和c m·利伯“通用电气/硅纳米线异质结构作为高性能的场效应晶体管,”<我>自然我>,卷441,不。7092年,第493 - 489页,2006年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1038/nature04796">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- o·海登,r·阿加瓦尔和c·m·利伯“纳米级雪崩二极管为高度敏感和空间解决光子探测,”<我>自然材料我>,5卷,不。5,352 - 356年,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1038/nmat1635">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 方舟子y, z中,w . Lu和c·m·利伯”一致的单一个分子级硅纳米线电荷传输,”<我>纳米快报我>,5卷,不。6,1143 - 1146年,2005页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl050783s">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 方舟子y, z . h中,c .杨w . Lu和c m·利伯”phy一电荷传输研究硅纳米线”<我>第229届美国化学学会全国会议程序我>2005年3月,圣地亚哥,加利福尼亚州,美国。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=PHYS%201—single%20charge%20transport%20studies%20in%20silicon%20nanowires&author=Z. H. Zhong&author=Y. Fang&author=C. Yang&author=W. Lu&author=&author=C. M. Lieber" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- c·杨,z中,c . m .利“材料科学:编码电子属性轴向调节掺杂硅纳米线的合成,“<我>科学我>,卷310,不。5752年,第1307 - 1304页,2005年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1126/science.1118798">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 李y, s . Gradečak f .钱,h . g .公园和c m·利伯“激光阈值较低的氮化镓纳米线激光,”<我>应用物理快报我>,卷87,不。17篇文章ID 173111 3页,2005。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.2115087">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 钱,s . Gradečak c . y, y . Li和c m·利伯”核心/ multishell纳米线异质结构作为多色,高效发光二极管,”<我>纳米快报我>,5卷,不。11日,第2291 - 2287页,2005年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl051689e">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 段x, y崔j·胡,c . m .利”掺杂硅纳米线的电交通,“<我>物理化学学报B我>,卷104,不。22日,第5216 - 5215页,2000年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Doping%20and%20electrical%20transport%20in%20silicon%20nanowires&author=Y. Cui&author=X. Duan&author=J. Hu&author=&author=C. M. Lieber&publication_year=2000" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- 崔y和c·m·利伯”功能使用硅纳米线纳米电子设备组装积木,“<我>科学我>,卷291,不。5505年,第853 - 851页,2001年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1126/science.291.5505.851">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 崔y,魏,h .公园,c . m .利“纳米线的纳米传感器的高度敏感和选择性检测生物和化学物种,”<我>科学我>,卷293,不。5533年,第1292 - 1289页,2001年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1126/science.1062711">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- x l . j .问:胡马:g .商et al .,“大规模快速氧化合成SnO2 nanoribbons,”<我>物理化学学报B我>,卷106,不。15日,第3826 - 3823页,2002年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/jp0125552">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- j·胡、t·w·奥多姆和c·m·利”在一维化学和物理:合成和纳米线和纳米管的性质,“<我>的化学研究我>,32卷,不。5,435 - 445年,1999页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/ar9700365">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 昌明投资w·s·n·m·黄,d . y . Yoon和d . y .金”由化学气相沉积生长的硅纳米线:方法通过簇模型,”<我>杂志的晶体生长我>,卷218,不。1,33-39,2000页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00543-1">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- A . m .莫拉莱斯和c·m·利激光消融晶体的合成半导体纳米线的方法,”<我>科学我>,卷279,不。5348年,第211 - 208页,1998年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1126/science.279.5348.208">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 王d和h·戴”,低温合成单晶锗纳米线通过化学气相沉积,”<我>《应用化学》我>,40卷,不。24日,第4786 - 4783页,2002年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Low-temperature%20synthesis%20of%20single-crystal%20germanium%20nanowires%20by%20chemical%20vapor%20deposition&author=D. Wang &author=H. Dai&publication_year=2002" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- y y . f . Zhang h . Tang c Lam et al .,“大批量硅纳米线合成SiO升华。”<我>杂志的晶体生长我>,卷212,不。1 - 2、115 - 118年,2000页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00238-4">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- y . f . Zhang黄懿慧唐:王,c . s .李,贝罗,和s t·李,“锗纳米线护套氧化层,<我>物理评论B我>,卷61,不。7,4518 - 4521年,2000页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Germanium%20nanowires%20sheathed%20with%20an%20oxide%20layer&author=Y. F. Zhang&author=Y. H. Tang&author=N. Wang&author=C. S. Lee&author=I. Bello&author=&author=S. T. Lee&publication_year=2000" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- y . f . Zhang黄懿慧唐:王et al .,“硅纳米线由激光消融在高温下,“<我>应用物理快报我>,卷72,不。15日,第1837 - 1835页,1998年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.121199">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- x段和c·m·利”,一般合成的化合物半导体纳米线”,<我>先进材料我>,12卷,不。4、298 - 302年,2000页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-4095(200002)12:4<298::AID-ADMA298>3.0.CO;2-Y">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- x段和c·m·利激光辅助催化生长的单晶氮化镓纳米线<我>美国化学学会杂志》上我>,卷122,不。1,第189 - 188页,2000。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/ja993713u">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- x段,j . Wang和c·m·利伯“砷化镓纳米线的合成及光学性质”,<我>应用物理快报我>,卷76,不。9日,第1118 - 1116页,2000年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Synthesis%20and%20optical%20properties%20of%20gallium%20arsenide%20nanowires&author=X. Duan&author=J. Wang&author=&author=C. M. Lieber&publication_year=2000" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- w·s·史、郑y . f . n . Wang c·s·李和s t·李,“Oxide-assisted增长目前和光学特性的纳米线。”<我>应用物理快报我>,卷78,不。21日,第3306 - 3304页,2001年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.1371966">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- r . Jalilian g . Sumanasekera, h . Chandrasekharan和m . k . Sunkara“声子监禁在锗纳米线和激光热效应的影响,“<我>物理评论B我>,卷74,不。15篇文章ID 155421 6页,2006。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.155421">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- r . y . Wang, t . Frauenheim, t . a . Niehaus“原子论的模拟自己捕捉激子形成硅纳米结构:从量子点纳米线,”<我>物理化学学报C我>,卷113,不。30日,第12938 - 12935页,2009年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/jp903898u">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- k·西t . Ozaki t . Morishita w .信田和m·劳斯”polyicosahedral硅纳米结构的电子和光学特性:采用的一项研究中,“<我>物理评论B我>,卷77,不。7,ID 075431条,13页,2008。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.77.075431">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- c·哈里斯和e . p . O ' reilly”性质的硅锗纳米线的带隙,”<我>自然史E我>,32卷,不。1 - 2、341 - 345年,2006页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/j.physe.2005.12.094">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- Ponomareva, m·梅农d·斯利瓦斯塔瓦,a . n . Andriotis”结构、稳定性和量子电导的小直径硅纳米线,”<我>物理评论快报我>,卷95,不。26日,文章ID 265502, 4页,2005。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.95.265502">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- h .淡比”,散射的抑制和高机动的影响size-quantized电子半导体超细线结构,”<我>日本应用物理杂志》上我>,19卷,不。12日,L735-L738, 1980页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Scattering%20suppression%20and%20high-mobility%20effect%20of%20size-quantized%20electrons%20in%20ultrafine%20semiconductor%20wire%20structures&author=H. Sakaki&publication_year=1980" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- s·m·a .藤原古永锵j.p.汉、e·m·沃格尔c·a·里希特和j·e . Bonevich”高反转电流在硅纳米线场效应晶体管,”<我>纳米快报我>,4卷,不。11日,第2201 - 2197页,2004年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl0486517">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 崔y, z中,d . Wang w·王,和c·m·利,“高性能硅纳米线场效应晶体管,”<我>纳米快报我>,3卷,不。2、149 - 152年,2003页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl025875l">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- x赵,c . m .魏l·杨和m . y .周“量子限制,硅纳米线的电子性质。”<我>物理评论快报我>,卷92,不。236805年23日文章ID, 4页,2004。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.92.236805">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- Cahangirov和美国Ciraci”,采用砷化镓纳米线的研究。”<我>物理评论B我>,卷79,不。16篇文章ID 165118 8页,2009。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.79.165118">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- d . Csontos p . Brusheim美国Zulicke, h .问:徐”自旋- 3/2洞半导体纳米线的物理:混合价带和可调疏松物质之间的相互作用和轨道束缚态的自旋分裂,”<我>物理评论B我>,卷79,不。15篇文章ID 155323 16页,2009年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.79.155323">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 黄懿慧朱和j·b·夏”Mn-doped氧化锌量子线电子结构:一个平均场理论研究中,“<我>物理评论B我>,卷75,不。20篇文章ID 205113 5页,2007。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.75.205113">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- y郑,c·里瓦斯r .湖,k .阿拉姆·t·b·柏金和g . Klimeck“硅纳米线的电子特性,”<我>IEEE电子设备我>,52卷,不。6,1097 - 1103年,2005页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1109/TED.2005.848077">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- h . Scheel美国帝国和c·汤姆森,“高指数硅纳米线的电子能带结构。”<我>自然史的地位相当于当时B我>,卷242,不。12日,第2479 - 2474页,2005年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/pssb.200541133">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- m .喀山g . Guisbiers s·佩雷拉et al .,“导热硅的体积和纳米线:同位素组成的影响,声子限制,表面粗糙度,”<我>应用物理杂志我>,卷107,不。8日,ID 083503条,14页,2010。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.3340973">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- m·胡k . p . Giapis j . v . Goicochea x,和d . Poulikakos”显著降低热导率在Si /通用核壳纳米线,”<我>纳米快报我>,11卷,不。2、618 - 623年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl103718a">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- d·肯和g·加利的温度依赖性的薄的硅纳米线的热导率,”<我>纳米快报我>,10卷,不。3、847 - 851年,2010页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl903268y">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- l .刘和陈x”,硅纳米线的表面粗糙度对导热系数的影响,“<我>应用物理杂志我>,卷107,不。3篇文章ID 033501 5页,2010。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.3298457">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- p·马丁,z Aksamija、大肠流行和Ravaioli,“phonon-surface粗糙度散射对导热系数的影响的薄硅纳米线,”<我>物理评论快报我>,卷102,不。12篇文章ID 125503 4页,2009。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.102.125503">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 陆x”,硅纳米线的晶格热导率:修改后的声子态密度的影响,“<我>应用物理杂志我>,卷104,不。5、文章ID 054314, 2008。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.2976314">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- a·l·摩尔,s·k·萨哈,r . s .普拉舍和l .施“声子导热反向散射和抑制锯齿纳米线,”<我>应用物理快报我>,卷93,不。8篇文章ID 083112 3页,2008。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.2970044">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- 即Ponomareva、d·斯利瓦斯塔瓦和m·梅农“薄硅纳米线的热导率:声子限制效应,”<我>纳米快报我>,7卷,不。5,1155 - 1159年,2007页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl062823d">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- t . Thonhauser gdp马汉,“如果[111]纳米线声子模式”,<我>物理评论B我>,卷69,不。7篇文章ID 075213 5页,2004。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Phonon%20modes%20in%20Si%20[111]%20nanowires&author=T. Thonhauser &author=G. D. Mahan&publication_year=2004" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- 美国Bhattacharyya s苏梅,“声子监禁在敷氧化物硅纳米线,”<我>应用物理快报我>,卷84,不。9日,第1566 - 1564页,2004年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.1651648">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- s . Piscanec m . Cantoro a·c·法拉利et al .,“硅纳米线的拉曼光谱,”<我>物理评论B我>,卷68,不。24篇文章ID 241312 4页,2003。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Raman%20spectroscopy%20of%20silicon%20nanowires&author=S. Piscanec&author=M. Cantoro&author=A. C. Ferrari et al.&publication_year=2003" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- r·k·雷et al .,”拉曼散射的温度依赖性锗,”<我>第二届国际会议在固体颗粒的光散射我>弗拉马利翁出版社,r . Balkanski Ed,巴黎,法国,1971年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Temperature%20dependence%20of%20Raman%20scattering%20in%20germanium&author=R. K. Ray et al." target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- h·里希特,z . p . Wang和l .雷”的声子微晶硅的拉曼光谱,”<我>固态通信我>,39卷,不。5,625 - 629年,1981页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=The%20one%20phonon%20Raman%20spectrum%20in%20microcrystalline%20silicon&author=H. Richter&author=Z. P. Wang&author=&author=L. Ley&publication_year=1981" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- i . h·坎贝尔和p . m .法伽“微晶大小和形状的影响声子晶体半导体的拉曼光谱,”<我>固态通信我>,卷。58岁的没有。10日,739 - 741年,1986页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=The%20effects%20of%20microcrystal%20size%20and%20shape%20on%20the%20one%20phonon%20Raman%20spectra%20of%20crystalline%20semiconductors&author=I. H. Campbell &author=P. M. Fauchet&publication_year=1986" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- p .居多,r·西斯内罗斯m .异超人m . Cruz-Irisson和c·王,”拉曼散射在光学声子的Si和Ge纳米结构,”<我>纳米级我>,3卷,不。3、1246 - 1251年,2011页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1039/c0nr00623h">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- n . Fukata t大岛渚:冈田克也et al .,“声子监禁在硅纳米线合成了激光消融,“<我>自然史B我>卷,376 - 377。1,第867 - 864页,2006。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.216">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- a . k . Arora m . Rajalakshmi t·r·文德兰花和诉Sivasubramanian,”拉曼光谱光学声子限制在纳米材料”<我>杂志的拉曼光谱我>,38卷,不。6,604 - 617年,2007页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/jrs.1684">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- s . Sahoo s Dhara s马哈,a . k . Arora”硅纳米声子监禁在强调,“<我>纳米科学和纳米技术杂志》上我>,9卷,不。9日,第5607 - 5604页,2009年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1166/jnn.2009.1141">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- w·s·o . Rodden c . m . s .托雷斯和c n .艾恩赛德”三维声子监禁在CdSe微晶玻璃,“<我>半导体科学技术我>,10卷,不。6,807 - 812年,1995页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/6/011">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- s . Khachadorian h . Scheel科利,a . Vierck和c·汤姆森,“第一,二阶拉曼散射的温度依赖性在硅纳米线,”<我>自然史的地位相当于当时B我>,卷247,不。11 - 12,3084 - 3088年,2010页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/pssb.201000704">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- p·r·斯托达特和j·d·康明斯Quasielastic硅光散射,”<我>物理评论B我>,卷62,不。23日,第15385 - 15383页,2000年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.15383">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- l·d·李,吴y, p . Kim Shi, p .杨和a . Majumdar“个人硅纳米线,热导率”<我>应用物理快报我>,卷83,不。14日,第2936 - 2934页,2003年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.1616981">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- ai Hochbaum, r, r·d·德尔珈朵et al .,“提高热电性能的硅纳米线,”<我>自然我>,卷451,不。7175年,第167 - 163页,2008年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1038/nature06381">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- p . a .寺庙和c·e·海瑟薇,“Multiphonon硅的拉曼光谱,”<我>物理评论B我>,7卷,不。8,3685 - 3697年,1973页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.7.3685">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- h . Bilz<我>声子色散关系在绝缘体我>施普林格,柏林,德国,1979年。<年代p一个nclass="reflinks">
- m . Rajalakshmi a . k . Arora b . s . Bendre和s . Mahamuni“光学声子监禁在氧化锌纳米颗粒,<我>应用物理杂志我>,卷87,不。5,2445 - 2448年,2000页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Optical%20phonon%20confinement%20in%20zinc%20oxide%20nanoparticles&author=M. Rajalakshmi&author=A. K. Arora&author=B. S. Bendre&author=&author=S. Mahamuni&publication_year=2000" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- f·d·d·d·马c . s . Lee c . k . Au郑胜耀通,和s t·李,“直径较小的硅纳米线表面,”<我>科学我>,卷299,不。5614年,第1877 - 1874页,2003年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1126/science.1080313">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- s . Khachadorian k . Papagelis h . Scheel科利,a·c·法拉利,和c·汤姆森,“高压硅纳米线的拉曼散射,”<我>纳米技术我>,22卷,不。19日,ID 195707条,2011年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/19/195707">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- s . Khachadorian h . Scheel m . Cantoro科利,a·c·法拉利,和c·汤姆森,“硅纳米线样品的形态:拉曼的一项研究中,“<我>自然史的地位相当于当时B我>,卷246,不。11 - 12,2809 - 2812年,2009页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/pssb.200982341">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- h . Scheel s Khachadorian m . Cantoro科利,a·c·法拉利,和c·汤姆森,“硅纳米线光拉曼线形状在低温和高的温度下,“<我>自然史的地位相当于当时B我>,卷245,不。10日,2090 - 2093年,2008页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/pssb.200879554">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- d . j . Wu张陆,h·r·古铁雷斯和p·c·埃克伦,“从单一的纳米线的差距,偏振拉曼散射”<我>物理评论B我>,卷81,不。16篇文章ID 165415 8页,2010。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.165415">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- h . Scheel帝国,a·c·法拉利,m . Cantoro a·科利和c·汤姆森,”拉曼散射在硅纳米线:环境的热导率决定了光学声子频率,“<我>应用物理快报我>,卷88,不。233114年23日文章ID, 3页,2006。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.2210292">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- r·古普塔Xiong, c . k . Adu美国j . Kim和p·c·埃克伦,”在硅纳米线激光范诺共振散射,”<我>纳米快报我>,3卷,不。5,627 - 631年,2003页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1021/nl0341133">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- t . Kanata h井,k .日本久保田公司”从半导体超细粒子,拉曼光谱和x射线散射”<我>应用物理杂志我>,卷61,不。3、969 - 971年,1987页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.338150">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- m . Balkanski r·f·沃利斯·e·哈罗德,“非谐效应在光散射由于硅的光学声子,”<我>物理评论B我>,28卷,不。4、1928 - 1934年,1983页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.28.1928">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- h·唐,i . p .赫尔曼。”拉曼探针散射固体硅和锗的熔化温度,“<我>物理评论B我>,43卷,不。3、2299 - 2304年,1991页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.43.2299">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- h·h·伯克和i . p .赫尔曼。”拉曼散射的温度依赖性Ge1-xSix合金,”<我>物理评论B我>,48卷,不。20日,第15024 - 15016页,1993年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.15016">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- b, d . Yu, s . l .张“喇曼光谱研究硅纳米线,”<我>物理评论B我>卷,59号3、1645 - 1648年,1999页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Raman%20spectral%20study%20of%20silicon%20nanowires&author=B. Li&author=D. Yu&author=&author=S. L. Zhang&publication_year=1999" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- p . Mishra k . p . Jain,“一线和二阶拉曼散射在纳米晶体硅,”<我>物理评论B我>,卷64,不。7篇文章ID 073304 4页,2001。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=First-%20and%20second-order%20Raman%20scattering%20in%20nanocrystalline%20silicon&author=P. Mishra &author=K. P. Jain&publication_year=2001" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- m·a·l·Arora Rajalakshmi, t·r·文德兰花“声子限制在纳米材料,”<我>纳米科学和技术的百科全书我>,8卷,页499 - 512,美国科学出版社,2004年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://scholar.google.com/scholar_lookup?title=Phonon%20confinement%20in%20nanomaterials&author=A. L. Arora&author=M. Rajalakshmi&author=&author=T. R. Ravindran&publication_year=2004" target="_blank">谷歌学术搜索一个>
- c . m . s .托雷斯,a·茨威格,f . Poinsotte et al .,“观察局限声学声子的硅膜,”<我>自然史C状态苏我>,1卷,不。11日,第2612 - 2609页,2004年。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1002/pssc.200405313">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- x, j·h·楚,w z沈,“修改晶格热导率的半导体矩形纳米线”<我>应用物理杂志我>,卷93,不。2、1219 - 1229年,2003页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.1531810">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- x Lu和j·楚说:“晶格热导率与方形截面硅纳米线,”<我>应用物理杂志我>,卷100,不。1、文章ID 014305 6页,2006。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1063/1.2211648">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
- d . y . Chen Li j . r .卢克斯和a . Majumdar”导热硅纳米线的蒙特卡罗模拟”,<我>《传热我>,卷127,不。10日,1129 - 1137年,2005页。<年代p一个nclass="reflinks">视图:<一个href="https://doi.org/10.1115/1.2035114">出版商的网站一个>|年代p一个n>谷歌学术搜索一个>
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