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光学制造和表面微结构的研究进展修改原文如此
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| 方法 |
优点和缺点 |
例子 |
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| APCVD |
过程很简单,快速响应,但均匀性较差 |
钟和金13)使用单个水晶APCVD增长3 c-sic立方碳化硅薄膜。3 c-sic电影有一个很好的晶体质量没有双胞胎,缺陷,或混乱,一个非常低的残余应力 |
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| LPCVD |
可以生长薄膜均匀和光滑形态3 c-sic电影中增长。低增长率LPCVD有不利的一面 |
Clavaguera-Mora et al。14)使用Si (CH3)4作为源材料沉积碳化硅薄膜的热CVD装置。电影在900 - 980°C是无定形纳米晶体平均粒径10 nm和有光滑的表面。表面轮廓测定法测量的均方根粗糙度(RMS) 6海里 |
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| PECVD |
衬底温度低,沉积速度快。PECVD似乎"碳化硅薄膜沉积的非晶状态 |
诺维et al。15用PECVD准备无定形碳化硅",有很多的立方结构从表面上看,这表明多晶结构的存在 |
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