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光学制造和表面微结构的研究进展修改原文如此

表2

光学对碳化硅材料的各种制备方法的主要特征。

光学制造碳化硅 原则 特征 例子

机械抛光 机械摩擦和材料去除 低效率 最终的表面精度1 nm RMS帕奎因等报道。3]
湿式抛光 抛光模具沉浸在泥浆,RMS变得低的磨料 表面精度高 最终的表面精度0.75 nm RMS报道了徐et al。4]
超精密磨削 延性磨削 设备要求高 Bifano et al。5)使用CVD SiC获得5.5 nm RMS
仪抛光 仪反应 低效率 在[6),最后表面1 nm RMS的准确性
电解过程
敷料(ELID)
砂轮的电解过程的功能 良好的表面质量 在[7),最后表面精度为1.4 nm RMS
化学机械抛光(CMP) 结合机械磨和化学腐蚀 表面质量好,但具有腐蚀性 在[8),最后表面精度为0.5 nm RMS
磁流变加工(MRF) 磁流变抛光液粘度增加了材料去除的剪切力产生的磁场梯度 低效率
约翰逊等人用这种方法制造CVD SiC (9]
激光光化学抛光 激光光化学反应 效率高,但具有腐蚀性 80海里的最终表面精度RMS被Murahara报道(10]
离子束铣 高速离子束撞击表面的样本 表面质量好,昂贵的设备 1纳米RMS的最终表面精度是由约翰逊et al。11]
浮法抛光 样品是漂浮在高速旋转的抛光板流体动压力 良好的表面质量 在[12),最后表面3 nm RMS的准确性