《纳米材料
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光学制造和表面微结构的研究进展修改原文如此

表1

碳化硅的不同制备方法和属性。
材料 密度(克/厘米3) 自由州的斯 各向同性 成本 准备周期 表面改性
HP-SiC 3.20 没有 坏 高 短期内 要求
RB-SiC 3.04 是的 好 低 短期内 要求
S-SiC 3.10 没有 更糟糕的是 较低的 长期 要求
CVD-SiC 3.21 没有 最好的 高 长期 Nonrequirement