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一个并网逆变器的优化光伏应用基于遗传算法

表2

功率晶体管的数据库。
三极管 描述 非线性平均模型参数 成本（€）
（Ω） （V） （Ω） （V） V日（V） V普遍优惠制（V） CISS（pF）的 CRSS（pF）的 （S） （一个/μS）
SiHA22N60AE MOSFET (12 A; 600 V) 0.66 0 9.1 10 3 7.42 1451 13.9 4.8 333.3 1.55
FCPF165N65S3L1 MOSFET (12.3 A; 600 V) 0.51 0 4.7 10 3.5 5.45 1415 9.5 12 452.4 4.41
FCB20N60F MOSFET (12.5 A; 600 V) 0.76 0 25 10 4 6.32 2370 33.3 17 142.9 4.62
FMV20N60S1 MOSFET (12.6 A; 600 V) 0.11 0 27 10 3 5.25 1470 2.4 17.5 250.0 6.16
FCP190N60 MOSFET (12.7 A; 600 V) 0.63 0 4.7 10 3 4.3 2220 8.4 21 1000.0 2.93
IRG7SC12FPbF IGBT (13 A; 600 V) 0.04 1.42 47 15 6 9.23 880 7.2 6.2 400.0 1.34
IRFP460BPbF MOSFET (13 A; 500 V) 0.72 0 4.3 10 3 5.45 4200 10 13 339.0 2.02
SiHP22N60E MOSFET (13 A; 600 V) 0.50 0 4.7 10 3 6.2 1920 13.7 6.4 407.4 1.59
SPW20N60S5 MOSFET (13 A; 600 V) 0.12 0 3.6 10 4.5 8 3000 7 12 800.0 4.15
FCH190N65F MOSFET (13.1 A; 650 V) 0.69 0 4.7 10 4 5.59 2425 9.5 18 909.1 4.03
STGB14NC60K IGBT (14 A; 600 V) 0.10 1.39 10 15 5.5 9.84 760 26.5 3 823.5 1.43
STGD7NC60HT4 IGBT (14 A; 600 V) 0.05 1.53 10 15 4.75 8.44 720 20.8 4.3 823.5 1.63
FCPF150N65F MOSFET (14.9 A; 650 V) 0.69 0 4.7 10 4 5.7 2810 9.5 22 800.0 5.05
SiHP24N65EF MOSFET (15 A; 650 V) 0.70 0 9.1 10 3 5.67 2656 13.3 7.2 352.9 2.50
IRGS15B60KPbF IGBT (15 A; 600 V) 0.03 1.11 22 15 4.5 7.33 850 19 10.6 937.5 2.19
NGTG15N60S1EG IGBT (15 A; 600 V) 0.02 1.11 22 15 5.5 9.375 1950年 22.7 10.1 535.7 1.56
SGP15N60 IGBT (15 A; 600 V) 0.05 1.3 21 15 4 6.96 800 44.1 10.9 652.2 1.48
IXYP15N65C3 IGBT (15 A; 650 V) 0.05 1.07 20 15 4.75 9.4 583 13.3 8.5 750.0 2.13

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