///标签1

研究文章

的我- - - - - -V特征预测BCD LV pMOSFET设备基于ANFIS-Based方法

表1

所有的设备不同dut的几何尺寸。


组1								b组1

(μ米)	0.4	0.45	0.6	0.8	1.0	1.6	2.0	(μ米)	0.5	1.2	3.0
(μ米)	2	2	2	2	2	2	2	(μ米)	2	2	2

2组								b组2

(μ米)	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	(μ米)	0.6	0.6	0.6
(μ米)	0.5	0.55	0.6	0.8	1.0	1.6	2	(μ米)	0.7	1.2	3

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。