的我-V基于anfis方法的BCD低压pMOSFET器件特性预测

图9

的比较1B组诊断样本的测量结果和预测数据(如, 1.2, 3 -μm;V)。

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．