这一世-V.基于基于ANFIS的方法的BCD LV PMOSFET器件的特性预测

图13.

相对比测量结果和预测数据的第2A类样本（如，-4 v，v）。

年度奖项：由我们的首席编辑所选的2020年的优秀研究捐款。阅读获奖物品。