- 订单细节
1
- 确认
2
文章的细节
- 杂志标题
- 有源和无源电子元件
- 体积
- 2015
- 文章标题
- 完全耗尽SOI mosfet中使用纳米级栅槽工艺的异常DIBL效应
- 作者列表
-
- 亚伯拉罕·谢利(ORCID ID: http://orcid.org/0000-0002-4534-9041)
- 文章的ID
- 609828
- 文章类型
- 研究文章
- 不。的页面
- 5页
- 相应的作者
- Avi卡尔桑迪
- 额外的作者
发票的细节
- 发票发行日期
- 2021年10月24日
- 类型的再版
- 彩色,覆盖
- 发票Ref。不。
- 条款
- 在收到支付
指控
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