TY -的A2 Vitucci恩里科·m·赵盟——Dixian盟——咦,Yongran PY - 2018 DA - 2018/03/29 TI - 0.45 W PAE E-Band 18%功率放大器在100 nm InGaAs pHEMT技术SP - 8234615六世- 2018 AB -本文描述了一个完全集成功率放大器(PA)在100 nm InGaAs E-Band pHEMT过程的点对点通信。设备大小和偏置条件优化在毫米波频率提高整体性能。完整的PA包含两个单元不是和每个单元PA有四个阶段提高增益的同时确保稳定直流操作频率。一个4路零度组合器(在单位PA)和双向 λ/ 2组合器是用来提高输出功率。占据5毫米²,提出了PA达到0.45 W的输出功率17.9% PAE 74 GHz。SN - 1530 - 8669你2018/8234615 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2018/8234615——摩根富林明——无线通信和移动计算PB - Hindawi KW - ER