TY -的A2 Landoulsi Jessem盟——宋、金PY - 2018 DA - 2018/04/24 TI -氧缺陷的影响研究薄膜的电子和光学性质SP - 4592913六世- 2018 AB - SnO₂薄膜生长直接在硅衬底上有更大的平均晶粒尺寸随着功率强度的增加,但SnO的平均晶粒尺寸₂薄膜生长在氧气气氛随着功率强度的增加而减少。纯SnO霍尔测量₂薄膜显示承运人密度随着功率的增加而增加。然而,在退火SnO₂薄膜,承运人密度减少和增加电力由于氧空位和SiO的形成₂Si衬底和SnO之间的层₂薄膜。光致发光(PL)的SnO₂薄膜生长在氧气气氛改变了,它是影响氧缺陷在薄膜的表面和界面。SN - 0161 - 0457 UR - https://doi.org/10.1155/2018/4592913 - 10.1155 / 2018/4592913摩根富林明扫描PB - Hindawi KW - ER