TY -的A2 - Al Basir法赫德AU -阿拉姆,Sayem Ul盟——Uddin Rukon AU -阿拉姆,Md。贾汗季盟——Raihan艾哈迈德盟——Mahtab谢赫·s . AU - Bhowmik Subrata PY - 2022 DA - 2022/10/19 TI -数学建模和性能评价三维铁电负电容FinFET SP - 8345513六世- 2022 AB -铁电负电容材料现在已经提出了降低电子能量耗散超出基本限制。在本文中,我们提出了负电容的性能分析(NC) FinFET相比与传统门电介质采用分离变量的方法,这是一个最佳quasi-3D数学模型。结果是所指陡峭表面潜力( ψ)、低阈值电压(V_th),1.2 mA的开态电流(离子)和增强免疫力的负电容FinFET对短沟道效应(SCE)像35.3 mV / V drain-induced屏障降低(DIBL), 60 mV / 12月的阈下摇摆(SS)以及当前状态(我最小_从)之间的另一个传统的闸极介电层。因此,数控FinFET可能是一个潜在的候选人低功率设备和高性能。SN - 1687 - 5591 UR - https://doi.org/10.1155/2022/8345513 - 10.1155 / 2022/8345513摩根富林明建模和仿真工程PB - Hindawi KW - ER