TY -的A2 -帕拉西奥市卡洛斯•安德烈斯盟——Zamora-Peredo Luis AU - Garcia-Gonzalez莱安德罗盟——Hernandez-Torres朱利安AU - Cortes-Mestizo,欧文·e . AU - Mendez-Garcia维克多·h . AU - Lopez-Lopez Maximo PY - 2016 DA - 2016/10/16 TI - Photoreflectance和拉曼研究表面电州AlGaAs /砷化镓异质结构SP - 4601249六世- 2016 AB - Photoreflectance (PR)和拉曼是两个非常有用的光谱技术,通常是用来知道GaAs-based半导体器件表面电子态。然而,尽管他们是特殊的工具很少有报道,这两种技术被用于这些类型的设备。在这部作品中,表面电子态AlGaAs /砷化镓异质结构进行了研究,以确定激光穿透深度等因素的影响,覆盖层厚度,在公关和拉曼光谱和表面钝化。公关测量进行交替两个激光(532 nm和375 nm波长)调制源为了识别内部和表面特性。表面电场计算公关分析而砷化镓覆盖层厚度的增加而减少,在良好的协议与类似的行为中观察到的拉曼测量( 我 l - - - - - - / 我 罗 率)。当异质结构被Si-flux治疗,这些技术显示相反的行为。公关分析显示在表面电场减少由于钝化过程而 我 l - - - - - - / 我 罗 比例不存在相同的行为,因为它是由耗尽层宽度(盖层厚度)和激光穿透深度。SN - 2314 - 4920你2016/4601249 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2016/4601249——摩根富林明-《光谱学PB Hindawi出版公司KW - ER