TY -的A2 Bhattacharya丝薇盟——陈,回族非盟- Tang Naiyun AU -左,志鹏PY - 2022 DA - 2022/09/22 TI -改善和减少在沃甘/氮化镓HEMT设备自动加热效果SP - 5378666六世- 2022 AB -氮化镓是一种第三代宽带半导体材料近年来发展迅速,沃甘/ GanHEMT有广阔的应用前景在高温、高功率,高频率和辐射电阻,等。近年来,基于氮化镓高电子迁移率晶体管已经广泛用于新兴产业,如5 g技术,新能源汽车,无人驾驶飞机和其他领域,由于其高功率和高电压电阻。然而,由于HEMT器件的高功率密度,自动加热效应将导致显著增加设备的结温,这将严重影响性能,设备的可靠性和寿命。在这篇文章中,氮化镓高电子迁移率晶体管的温度特性(GaN HEMTs)进行了研究,以及自动加热的影响影响GaN HEMT器件进行了分析。为了减少设备的温度,提高设备的可靠性,提出了一种新的器件结构。新结构代替了传统的硅和硅₃N₄高导热钻石和碳化硅衬底和钝化层的设备,促进基质的散热和钝化层。此外,新结构采用混合阻挡层和场板。仿真结果表明,新结构温度的峰值低约30%,输出电流高47%,transconductivity高28%,18.22%高电流崩溃率比传统的结构。SN - 1687 - 725 - 2022/5378666 / 10.1155 x你——https://doi.org/10.1155/2022/5378666——摩根富林明——《传感器PB - Hindawi KW - ER