TY -的A2 - Chen Wen-Ming AU - Tu,华亭盟——香港,香港非盟-张,亚亚盟——周,梁AU - Li Xiaoou PY - 2022 DA - 2022/07/22 TI -介电损耗的影响对射频性能的微带多谐电路SP - 3866692六世- 2022 AB -如今,基于结构天线,谐振器,传感器也得到了大量关注由于其优良的舒适和灵活性较严格的商业印刷电路板(pcb)。介电常数( ε r 和介电损耗角正切 棕褐色 δ 衬底材料的)他们的频率响应特性有很大的影响。然而,介电损耗的影响通常被忽略,因为传统的无线电频率(RF)设备伪造商业多氯联苯与低得多 棕褐色 δ 。介电损耗相差很大的差异与不同的织物材料,具有重要意义探讨介质损耗频率响应特性的影响。因此,本文系统地研究了衬底上的属性的影响射频微带multiresonator的性能。首先,微带multiresonators不同的模型 ε r 和 棕褐色 δ 是由基于模拟。通过参数化全面,它显示 棕褐色 δ 切口深度的关键因素。和越大 棕褐色 δ 越大,材料的电磁损耗,导致一个较小的切口深度的谐振器。然后,三个代表材料不同数量级的 棕褐色 δ FR-4 (ad - 450: 0.002: 0.015,和牛仔布:0.114)被选出来验证仿真。结果表明,常见的基于结构谐振器有可怜的射频特性的大介电损耗相比商业多氯联苯。本研究可穿戴电子设备的设计具有重要意义与柔性衬底材料介电损耗大。SN - 1687 - 725 - 2022/3866692 / 10.1155 x你——https://doi.org/10.1155/2022/3866692——摩根富林明——《传感器PB - Hindawi KW - ER